5P83905CMGK
IDT · 封装:QFN-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 Crystal、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 QFN-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:QFN-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 Crystal、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 QFN-16 封装。IDT · 封装:QFN-64
主要参数包括湿敏性 是,采用 QFN-64 封装。IDT
主要参数包括型号别名 651S。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 2305 ICS2305M-1LF、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Microchip / Microsemi
Clock Buffer 2:8 LVDS Fanout Buffer w/Ext. Term.Texas Instruments · 封装:WQFN-48
主要参数包括最大输入频率 3100 MHz、最大输出频率 3100 MHz、输入类型 LVDS、输出类型 LVCMOS, LVPECL、输出数 12 Output、最小工作温度 - 40 C,采用 WQFN-48 封装。Microchip / Microsemi
Clock Buffer 2:8 LVPECL Fanout Buffer w/Int. Term.Microchip / Microsemi
Clock Buffer 1:8 LVPECL Fanout Buffer w/Ext. Term.IDT · 封装:QFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 700 MHz、最大输出频率 700 MHz、输出类型 LVCMOS/HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL、类型 Low Additive Jitter,采用 QFN-32 封装。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 23S05 IDT23S05-1DCGI8、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Microchip / Microsemi · 封装:QFN-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 400 MHz、输入类型 Differential, Single Ended、输出类型 HCSL,采用 QFN-20 封装。Silicon Labs
Clock Buffer 2:6 LVPECL buffer (200MHz), 2:1 LVMCOS input mux (QFN24)Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。IDT
Clock Buffer 8 O/P 3.3V PCIE Gen123 100 OhmIDT · 封装:VFQFPN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出数 2 Output、最小工作温度 0 C,采用 VFQFPN-32 封装。Microchip Technology / Micrel
Clock Buffer 2-Output DC to MHz CMOS BufferIDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、输出数 6 Output,采用 VFQFPN-40 封装。Silicon Labs
主要参数包括单件重量 0.001764 oz。IDT · 封装:QFN-64
主要参数包括湿敏性 是,采用 QFN-64 封装。Silicon Labs
Clock Buffer 10 to 220MH, 8 Outputs Zero Delay Buffer (ZDB), 3.3 to 2.5V型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。