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逻辑与时钟

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45,197 条型号记录
每页 20 条

2305MI-1HLF

IDT · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、输出数 5 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。
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23S05-1HDCGI

IDT · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 SOIC-8 封装。
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PI6C48543LEX

Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 CML, HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL、输出类型 LVDS，采用 TSSOP-20 封装。
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LMK00301SQX/NOPB

Texas Instruments · 封装：WQFN-48

主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最大输入频率 3100 MHz、最大输出频率 3100 MHz、输入类型 HCSL, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL, LVDS, LVPECL，采用 WQFN-48 封装。
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LMK00105SQX/NOPB

Texas Instruments · 封装：WQFN-24

主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 WQFN-24 封装。
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9ZXL0831EKILFT

IDT · 封装：QFN-48

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL，采用 QFN-48 封装。
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9ZXL0631EKILFT

IDT · 封装：QFN-40

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 6 Output，采用 QFN-40 封装。
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2309NZ-1HPGGI

IDT · 封装：TSSOP-16

主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 2309NZ-1H IDT2309NZ-1HPGGI、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。
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LMK00301ARHSR

Texas Instruments · 封装：WQFN-48

主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WQFN-48 封装。
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LMK00304SQX/NOPB

Texas Instruments · 封装：WQFN-32

主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最大输入频率 3100 MHz、最大输出频率 3100 MHz、输入类型 LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 WQFN-32 封装。
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LMV112SDX/NOPB

Texas Instruments · 封装：WSON-8

主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.4 V、最大输入频率 40 MHz、最大输出频率 40 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。
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SI53102-A1-GMR

Silicon Labs · 封装：TDFN-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输入频率 175 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TDFN-8 封装。
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23S05T-1DCG8

IDT · 封装：SOIC-8

主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 23S05T IDT23S05T-1DCG8、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。
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5PB1104PGGK8

IDT · 封装：TSSOP-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 TSSOP-8 封装。
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23S09-1HPGGI8

IDT · 封装：TSSOP-16

主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 23S09 IDT23S09-1HPGGI8、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。
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SL23EP04NZZC-1T

Silicon Labs

Clock Buffer Industry standard 1:4 low skew clock buffer
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