NB3N106KMNR2G
ON Semiconductor · 封装:QFN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 400 MHz、传播延迟(最大值) 1100 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-24 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ON Semiconductor · 封装:QFN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 400 MHz、传播延迟(最大值) 1100 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-24 封装。IDT · 封装:TQFP-32
主要参数包括高度 1.4 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是、型号别名 85310I-01 ICS85310AYI-01LFT、单件重量 0.002568 oz,采用 TQFP-32 封装。Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 500 MHz、最大输出频率 500 MHz、输入类型 LVCMOS, LVTTL、输出类型 LVPECL,采用 TSSOP-20 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 6 GHz、最大输出频率 6 GHz、输入类型 CML, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 CML, LVPECL,采用 TQFN-24 封装。Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。IDT · 封装:VFQFPN-72
主要参数包括高度 1 mm、长度 10 mm、宽度 10 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB1904B ICS9DB1904BKLFT,采用 VFQFPN-72 封装。IDT · 封装:QFN-72
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL,采用 QFN-72 封装。IDT · 封装:SSOP-20
主要参数包括高度 1.73 mm、长度 7.2 mm、宽度 5.3 mm、型号别名 LV810 LV810FILF LV810FILFT、单件重量 0.016000 oz,采用 SSOP-20 封装。Microchip / Microsemi · 封装:QFN-72
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输出频率 250 MHz、输入类型 Differential, Single Ended、输出类型 HCSL、输出数 20 Output,采用 QFN-72 封装。IDT
主要参数包括湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS。IDT
Clock Buffer 4 O/P CK420BQ Lite OEMSilicon Labs
Clock Buffer 1:8 low-power PCIe fan-out/zero-delay buffer (DB800ZL)IDT
主要参数包括湿敏性 是。IDT
Clock Buffer 8 O/P CK420BQ Lite OEMSilicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 2305B IDT2305B-1HDCGI8、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.001764 oz。Microchip Technology / Micrel
Clock Buffer 1:2 Fanout XOSilicon Labs
主要参数包括单件重量 0.001764 oz。IDT · 封装:SOIC-16
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、型号别名 2309 IDT2309-1DCGI8、单件重量 0.023492 oz,采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。