PI49FCT3807QEX
Diodes Incorporated · 封装:QSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、输出数 10 Output、传播延迟(最大值) 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QSOP-20 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diodes Incorporated · 封装:QSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、输出数 10 Output、传播延迟(最大值) 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-16
主要参数包括最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVPECL、输出类型 LVCMOS, LVPECL、类型 Clock Buffer/Divider、输出数 1 Output,采用 VQFN-16 封装。IDT · 封装:TQFP-32
主要参数包括高度 1.4 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是、型号别名 8312I ICS8312AYILFT、单件重量 0.002568 oz,采用 TQFP-32 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-48
主要参数包括最大输入频率 1500 MHz、最大输出频率 1500 MHz、输入类型 LVPECL、输出类型 LVPECL、类型 Clock Generator/Buffer、输出数 5 Output,采用 VQFN-48 封装。Diodes Incorporated
Clock Buffer 6GHz Selectable Fanout BufferMicrochip / Microsemi
Clock Buffer 1:8 LVDS Fanout Buffer w/Ext. Term.Texas Instruments · 封装:VQFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL,采用 VQFN-40 封装。Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 1.5 GHz、最大输出频率 1.5 GHz、输入类型 CML, HCSL, HSTL, LVDS, LVECL, LVPECL、输出类型 LVPECL,采用 TSSOP-20 封装。Diodes Incorporated · 封装:SSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 10 Output、传播延迟(最大值) 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SSOP-20 封装。IDT
主要参数包括型号别名 ICS8543BGILFT。Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm,采用 SOIC-16 封装。IDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 6 mm、宽度 6 mm、湿敏性 是、型号别名 8SLVP2106I,采用 VFQFPN-40 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-24
主要参数包括类型 Clock Divider、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.001601 oz,采用 VQFN-24 封装。Cypress Semiconductor · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.95 mm,采用 TSSOP-16 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 3500 MHz、最大输出频率 3500 MHz、输入类型 LVPECL、输出类型 LVPECL,采用 VQFN-32 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL,采用 VQFN-48 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、最大输入频率 650 MHz、最大输出频率 650 MHz、输入类型 LVDS、输出类型 CML,采用 VQFN-48 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-48
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是,采用 VQFN-48 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-28
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL,采用 VQFN-28 封装。ON Semiconductor · 封装:QFN-16 EP
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 4000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 0.325 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-16 EP 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。