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逻辑与时钟

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型号列表

45,197 条型号记录
每页 20 条

PI49FCT3807BQEX

Diodes Incorporated · 封装:QSOP-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、输出数 10 Output、传播延迟(最大值) 3.8 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QSOP-20 封装。

PI6C20400BHEX

Diodes Incorporated · 封装:SSOP-28

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 SSOP-28 封装。

9ZXL0851EKILFT

IDT · 封装:QFN-48

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 8 Output,采用 QFN-48 封装。

MC100EP11MNR4G

ON Semiconductor · 封装:DFN-8

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 0.27 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 DFN-8 封装。

PI49FCT32802LEX

Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、最大输入频率 133 MHz、输出数 5 Output、传播延迟(最大值) 2.5 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-16 封装。

PI49FCT3805QEX

Diodes Incorporated · 封装:QSOP-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、输出数 10 Output、传播延迟(最大值) 6.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QSOP-20 封装。

ZL40205LDF1

Microchip / Microsemi

Clock Buffer 1:6 LVPECL Fanout Buffer w/Int. Term.

8P34S2108NLGI8

IDT · 封装:VFQFN-48

主要参数包括电源电压(最大值) 1.89 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 2 GHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS、类型 High Performance,采用 VFQFN-48 封装。

672M-02ILFT

IDT · 封装:SOIC-16

主要参数包括高度 1.5 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、型号别名 672-02 ICS672M-02ILFT、单件重量 0.023492 oz,采用 SOIC-16 封装。

SN0305042RTHT

Texas Instruments · 封装:VQFN-24

主要参数包括类型 Clock Divider、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.001601 oz,采用 VQFN-24 封装。

CDCLVD110ARHBTG4

Texas Instruments · 封装:VQFN-32

主要参数包括电源电压(最大值) 2.625 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 1100 MHz、最大输出频率 1100 MHz、输入类型 LVDS、输出类型 LVDS,采用 VQFN-32 封装。

PI6C4911505LIEX

Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 1.5 GHz、最大输出频率 1.5 GHz、输入类型 Differential, LVTTL, LVCMOS、输出类型 LVPECL,采用 TSSOP-20 封装。

PI6CB18601ZLAIEX

Diodes Incorporated · 封装:TQFN-40

主要参数包括电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 CMOS, HCSL、输出类型 HCSL,采用 TQFN-40 封装。

8316AKLFT

IDT · 封装:VFQFPN-32

主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是、型号别名 8316 ICS8316AKLFT,采用 VFQFPN-32 封装。

NB3N201SDR2G

ON Semiconductor · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、传播延迟(最大值) 2.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、工作电源电流 22 mA,采用 SOIC-8 封装。

PI6C4911504D2LIEX

Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-20

采用 TSSOP-20 封装。

PI49FCT3805AQEX

Diodes Incorporated · 封装:QSOP-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、输出数 10 Output、传播延迟(最大值) 5.8 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QSOP-20 封装。

PI6C4911505-04LIEX

Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 1.5 GHz、最大输出频率 1.5 GHz、输入类型 Differential, LVCMOS、输出类型 LVPECL,采用 TSSOP-20 封装。

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