ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

逻辑与时钟

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

45,197 条型号记录
每页 20 条

853S006AGILFT

IDT · 封装：TSSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2 GHz、最大输出频率 2 GHz、输入类型 CML, LVDS, LVPECL、输出类型 ECL, LVPECL，采用 TSSOP-20 封装。
查看资料 询价

9DB401CGLFT

IDT · 封装：TSSOP-28

主要参数包括高度 1 mm、长度 9.7 mm、宽度 4.4 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB401 ICS9DB401CGLFT、单件重量 0.014215 oz，采用 TSSOP-28 封装。
查看资料 询价

PI49FCT32805QEX

Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输入频率 133 MHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-20 封装。
查看资料 询价

MC100EP210SFAR2G

ON Semiconductor · 封装：LQFP-32

主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 1000 MHz、输出数 20 Output、传播延迟（最大值） 0.65 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 LQFP-32 封装。
查看资料 询价

PI6C5946002ZHIEX

Diodes Incorporated

Clock Buffer 6GHz/12Gbps Clock Data Fanout Buffer
查看资料 询价

CY2308ZXC-1HT

Cypress Semiconductor · 封装：TSSOP-16

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 0.95 mm，采用 TSSOP-16 封装。
查看资料 询价

CDCLVP1216RGZR

Texas Instruments · 封装：VQFN-48

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-48 封装。
查看资料 询价

CY2309SXI-1HT

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。
查看资料 询价

8R9306NLGI8

IDT · 封装：VFQFPN-28

主要参数包括高度 0.85 mm、长度 6 mm、宽度 6 mm、湿敏性 是、型号别名 8R9306I，采用 VFQFPN-28 封装。
查看资料 询价

CY2308SXC-1HT

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。
查看资料 询价

CDCLVD110ARHBRG4

Texas Instruments · 封装：VQFN-32

主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 1100 MHz、最大输出频率 1100 MHz、输入类型 LVDS、输出类型 LVDS，采用 VQFN-32 封装。
查看资料 询价

85411AMLFT

IDT · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 2.5 ns、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。
查看资料 询价

853S011CMILFT

IDT · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2.5 GHz、最大输出频率 2.5 GHz、输入类型 CML, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 ECL, LVPECL，采用 SOIC-8 封装。
查看资料 询价

574MILFT

IDT · 封装：SOIC-8

主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 574 ICS574MILFT、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。
查看资料 询价

9ZX21501CKLFT

IDT · 封装：VFQFPN-64

主要参数包括高度 0.9 mm、长度 9 mm、宽度 9 mm、湿敏性 是、型号别名 9ZX21501 ICS9ZX21501CKLFT，采用 VFQFPN-64 封装。
查看资料 询价

MC100E111FNR2G

ON Semiconductor · 封装：PLCC-28

主要参数包括电源电压（最大值） 5.7 V、电源电压（最小值） 4.2 V、最大输入频率 800 MHz、输出数 18 Output、传播延迟（最大值） 0.68 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 PLCC-28 封装。
查看资料 询价

2309-1HPGG8

IDT · 封装：TSSOP-16

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-16 封装。
查看资料 询价

MC100LVEL11DTR2G

ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 1000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.405 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。
查看资料 询价

853S011BMILFT

IDT · 封装：SOIC-8

主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 853S011BI ICS853S011BMILFT、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技