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Clock Buffer PCIE BUFFER - GEN1/2/3 - LOW POWER按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
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Clock Buffer PCIE BUFFER - GEN1/2/3 - LOW POWERMicrochip Technology / Micrel · 封装:TSSOP-16
主要参数包括单件重量 0.006102 oz,采用 TSSOP-16 封装。IDT
Clock Buffer Programmable Fanout BufferIDT · 封装:VFQFPN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 Crystal, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL,采用 VFQFPN-24 封装。IDT · 封装:VFQFPN-48
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 6 mm、宽度 6 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBU0831,采用 VFQFPN-48 封装。IDT
主要参数包括湿敏性 是。IDT · 封装:VFQFPN-32
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBU0531,采用 VFQFPN-32 封装。IDT
主要参数包括型号别名 621S。Microchip / Microsemi
Clock Buffer 2:6 LVPECL Fanout Buffer w/Ext. Term.IDT
Clock Buffer 2 O/P CK420BQ Lite OEMSilicon Labs
Clock Buffer 1:19 low-power PCIe fan-out/zero-delay bufferIDT
Clock Buffer Prog Fanout Buffer OTP 0.2ps 1.8 3.3VIDT
Clock Buffer Programmable Fanout BufferIDT
Clock Buffer Programmable Fanout BufferIDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 23S05T IDT23S05T-1DCGI8、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor
Clock Buffer 3.3V 200MHZ 1:4 LVCMOS, LIDT · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology / Micrel
Clock Buffer Lo Pwr, 1.62V to 3.63V, 10-40MHz, 1:3 Oscillator Fanout BufferDiodes Incorporated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS, LVTTL、输出类型 LVCMOS, LVTTL,采用 SOIC-8 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFP-32
采用 TQFP-32 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。