5P83905CMGK8
IDT · 封装:QFN-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 Crystal、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 QFN-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:QFN-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 Crystal、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 QFN-16 封装。Texas Instruments · 封装:WSON-8
主要参数包括电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 2.4 V、最大输入频率 78 MHz、最大输出频率 78 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C,采用 WSON-8 封装。IDT
主要参数包括型号别名 IDT5T93GL101PFGI8。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 23S05 IDT23S05-1DCG8、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-24
采用 TSSOP-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 1.5 GHz、最大输出频率 1.5 GHz、输入类型 CML, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 LVPECL,采用 TQFP-32 封装。Diodes Incorporated · 封装:QFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 1.5 GHz、最大输出频率 1.5 GHz、输入类型 CML, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 LVPECL,采用 QFN-32 封装。ON Semiconductor · 封装:TSSOP-8
主要参数包括电源电压(最大值) 5.7 V、电源电压(最小值) 4.2 V、最大输入频率 1500 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 0.44 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-8 封装。Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。Microchip Technology / Micrel · 封装:TSSOP-16
主要参数包括单件重量 0.006102 oz,采用 TSSOP-16 封装。Microchip Technology
Clock Buffer 19 Out Buffer W-Sst External FeedbackCypress Semiconductor · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm,采用 SOIC-16 封装。IDT · 封装:VFQFPN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 Crystal, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL,采用 VFQFPN-24 封装。Microchip Technology / Micrel
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 MDB1900ZBQZ TR。Microchip Technology / Micrel · 封装:VQFN-32
主要参数包括型号别名 SY75578LMG TR,采用 VQFN-32 封装。IDT
Clock Buffer Programmable Fanout BufferIDT
Clock Buffer Programmable Fanout BufferIDT
Clock Buffer Fanout Buffer Prog CLKIDT
Clock Buffer Programmable Fanout BufferIDT
Clock Buffer Prog Fanout Buffer OTP 0.2ps 1.8 3.3V型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。