NB6L14SMNTXG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 2 GHz、类型 Any Level Differential Input to LVDS Fanout Buffer/Translator、传播延迟（最大值） 600 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录651SDCGI8
IDT
主要参数包括型号别名 651S。PL123-05HSC
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 134 MHz、最大输出频率 134 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 SOP-8 封装。NB4N11MDTR2G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 2500 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.6 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。9DML0441AKILFT
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL，采用 VFQFPN-24 封装。MC10EP11DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.27 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 Narrow 封装。CY2308SXC-3T
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。9DML0451AKILFT
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL，采用 VFQFPN-24 封装。CY2304SXC-2
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-8 封装。CDC111FN
Texas Instruments · 封装：PLCC-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 500 MHz、最大输出频率 500 MHz、输入类型 LVECL, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 PLCC-28 封装。NB3L853141DTR2G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输入频率 700 MHz、最大输出频率 700 MHz、输入类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVHSTL, LVPECL, LVTTL, SSTL、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-20 封装。SI5330F-B00214-GMR
Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。DS92CK16TMTC/NOPB
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 125 MHz、最大输出频率 125 MHz、输入类型 LVDS, LVTTL、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-24 封装。9112AG-16LFT
IDT · 封装：TSSOP-8
主要参数包括高度 1 mm、长度 3.1 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 9112-16 ICS9112AG-16LFT、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。5P1105A516NLGI8
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 Crystal, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL，采用 VFQFPN-24 封装。5P1105A000NLGI8
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 1.71 V、电源电压（最小值） 3.465 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 Crystal, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL，采用 VFQFPN-24 封装。9ZXL1231EKILFT
IDT · 封装：QFN-64
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL，采用 QFN-64 封装。9ZX21901DKLFT
IDT
主要参数包括输出类型 HCSL、产品 Clock Buffers、湿敏性 是。9ZXL1951DNHGI8
IDT · 封装：GQFN-80
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 19 Output，采用 GQFN-80 封装。9ZXL1530DKILFT
IDT · 封装：MLF-64
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、输入类型 Differential、输出类型 Differential、类型 Low Power Derivative，采用 MLF-64 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。