NB3U1548CDR2G
ON Semiconductor
Clock Buffer SINGLE-ENDED FANOUT逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录NB7L14MN1TWG
ON Semiconductor
Clock Buffer 2.5V/3.3V FANOUT BUFMC100EL11DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括电源电压（最大值） 5.7 V、电源电压（最小值） 4.2 V、最大输入频率 1500 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.34 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 Narrow 封装。NB3N853531EDTR2G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 40 MHz、传播延迟（最大值） 1.8 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-20 封装。NB4N111KMNR4G
ON Semiconductor · 封装：QFN-32 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 400 MHz、输出数 20 Output、传播延迟（最大值） 1.1 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 EP 封装。NB3L204KMNTXG
ON Semiconductor
Clock Buffer 1:4 HCSL FANOUT BUFFERNB3N853531EDTG
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 40 MHz、传播延迟（最大值） 1.8 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-20 封装。NB7L14MNTXG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 8000 MHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 0.2 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 EP 封装。PI6C10807HE
Diodes Incorporated · 封装：SSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输入频率 250 MHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 2 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SSOP-20 封装。NB6L11SMNR2G
ON Semiconductor · 封装：QFN-16 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.45 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 EP 封装。NB6L14SMNTWG
ON Semiconductor
主要参数包括工作电源电流 100 mA。NB3L853141DTG
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输入频率 700 MHz、最大输出频率 700 MHz、输入类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVHSTL, LVPECL, LVTTL, SSTL、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-20 封装。ZL40293LDG1
Microchip / Microsemi · 封装：QFN-72
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输出频率 250 MHz、输入类型 Differential, Single Ended、输出类型 HCSL、输出数 20 Output，采用 QFN-72 封装。8L30210NLGI
IDT
主要参数包括湿敏性 是。PI6C20400AHE
Diodes Incorporated · 封装：SSOP-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL，采用 SSOP-28 封装。5P83904CMGK
IDT · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 Crystal、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 QFN-16 封装。NB3N200SDG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、传播延迟（最大值） 2.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、工作电源电流 22 mA，采用 SOIC-8 封装。5P1103A003NLGI
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 Crystal, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL，采用 VFQFPN-24 封装。NB3V8312CFAG
ON Semiconductor · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 1.8 V、最大输入频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS, LVTTL、输出类型 LVCMOS、输出数 12 Output，采用 LQFP-32 封装。5P1105A515NLGI
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 Crystal, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL，采用 VFQFPN-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。