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逻辑与时钟

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型号列表

45,197 条型号记录
每页 20 条

CY2308SXC-1T

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm,采用 SOIC-16 封装。

SY89834UMG-TR

Microchip Technology / Micrel · 封装:MLF-16

主要参数包括湿敏性 是、型号别名 SY89834UMG TR,采用 MLF-16 封装。

CDCLVP1208RHDR

Texas Instruments · 封装:VQFN-28

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL,采用 VQFN-28 封装。

NB3F8L3005CMNTXG

ON Semiconductor · 封装:QFN-24

主要参数包括最大输入频率 50 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 LVCMOS、输出数 5 Output、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-24 封装。

CY2309CZXI-1

Cypress Semiconductor · 封装:TSSOP-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、输出数 9 Output,采用 TSSOP-16 封装。

9ZXL0851EKILF

IDT · 封装:QFN-48

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 8 Output,采用 QFN-48 封装。

CDCLVP1102RGTR

Texas Instruments · 封装:VQFN-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL,采用 VQFN-16 封装。

9DBU0231AKLFT

IDT · 封装:VFQFPN-24

主要参数包括高度 0.9 mm、长度 4 mm、宽度 4 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBU0231,采用 VFQFPN-24 封装。

NB6L56MNTXG

ON Semiconductor · 封装:QFN-32

主要参数包括最大输入频率 2.5 GHz、传播延迟(最大值) 360 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、工作电源电流 85 mA、单件重量 0.006653 oz,采用 QFN-32 封装。

MC10LVEP11DR2G

ON Semiconductor · 封装:SOIC-8 Narrow

主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 0.31 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 Narrow 封装。

MC10EP11DTG

ON Semiconductor · 封装:TSSOP-8

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 0.27 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-8 封装。

9DBV0441AKLFT

IDT · 封装:VFQFPN-32

主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBV0441,采用 VFQFPN-32 封装。

NB3L202KMNTXG

ON Semiconductor · 封装:QFN-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 HCSL, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL,采用 QFN-16 封装。

853S011CGILFT

IDT · 封装:TSSOP-8

主要参数包括高度 0.97 mm、长度 3 mm、宽度 3 mm、湿敏性 是、型号别名 853S011CI ICS853S011CGILFT、单件重量 0.005573 oz,采用 TSSOP-8 封装。

NBSG11MNHTBG

ON Semiconductor · 封装:QFN-16 EP

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 12000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 0.16 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-16 EP 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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