PL135-37SC
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOP-8L
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.62 V、最大输入频率 40 MHz、最大输出频率 40 MHz、输入类型 Crystal、输出类型 LVCMOS，采用 SOP-8L 封装。逻辑与时钟
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
45,197 条型号记录2309A-1HPGGI
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 2309A IDT2309A-1HPGGI、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。9DBU0231AKILF
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输出类型 LP-HCSL、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 VFQFPN-24 封装。PI49FCT3807QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QSOP-20 封装。CDCLVP2106RHAT
Texas Instruments · 封装：VQFN-40
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-40 封装。8516FYLF
IDT · 封装：TQFP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输入频率 700 MHz、输出数 16 Output、传播延迟（最大值） 2.4 ns、最小工作温度 0 C，采用 TQFP-48 封装。9DBU0441AKLF
IDT · 封装：VFQFPN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出数 2 Output、最小工作温度 0 C，采用 VFQFPN-32 封装。ADCLK905BCPZ-R2
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、最大输出频率 6000 MHz、类型 Clock Buffer、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 0.095 ns，采用 LFCSP-16 封装。PI6C10804WEX
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 1.4 V、最大输入频率 250 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。PI49FCT3807CQE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QSOP-20 封装。ADCLK854BCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 1.89 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 1200 MHz、最大输出频率 1200 MHz、类型 Clock Fanout Buffer、输出数 12 Output，采用 LFCSP-48 封装。ADCLK925BCPZ-R2
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、最大输出频率 6000 MHz、类型 Clock Fanout Buffer、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 0.095 ns，采用 LFCSP-16 封装。9DBV0841AKILF
IDT · 封装：VFQFPN-48
主要参数包括电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 0.9975 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、输出数 8 Output，采用 VFQFPN-48 封装。PI6C5916004ZHIEX
Diodes Incorporated · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输出频率 6 GHz、输入类型 Differential, LVCMOS、输出类型 LVPECL、类型 Fannout Buffers，采用 QFN-16 封装。LMK00101SQX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、输出数 10 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 WQFN-32 封装。ZL40213LDF1
Microchip / Microsemi
Clock Buffer 1:2 LVDS Fanout Buffer w/Int. Term.SI5330G-B00217-GMR
Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。MC10EL11DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括电源电压（最大值） 5.7 V、电源电压（最小值） 4.2 V、最大输入频率 1500 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.34 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 Narrow 封装。NB3V1104CMTTBG
ON Semiconductor · 封装：WDFN-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 250 kHz、最大输出频率 250 kHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 WDFN-8 封装。9ZX21901CKLFT
IDT · 封装：VFQFPN-72
主要参数包括高度 1 mm、长度 10 mm、宽度 10 mm、湿敏性 是、商品名称 9ZX219、型号别名 9ZX21901 ICS9ZX21901CKLFT，采用 VFQFPN-72 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。