621MILF
IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 1.89 V、电源电压(最小值) 1.14 V、最大输入频率 100 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 5 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 1.89 V、电源电压(最小值) 1.14 V、最大输入频率 100 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 5 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。IDT · 封装:VFQFPN-8
主要参数包括电源电压(最大值) 1.89 V、电源电压(最小值) 1.14 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 5 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 VFQFPN-8 封装。Silicon Labs
主要参数包括单件重量 0.001764 oz。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 621 ICS621MLF、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 651 ICS651MILFT、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVTTL、输出类型 LVTTL,采用 TSSOP-24 封装。IDT · 封装:TSSOP-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、最大输入频率 700 MHz、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 3 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-24 封装。IDT · 封装:PTQFP-48
主要参数包括高度 1 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是、型号别名 85352I ICS85352AYILF,采用 PTQFP-48 封装。IDT
主要参数包括型号别名 ICS9FG1200AG-5LFT。Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、最大输出频率 170 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor · 封装:QFN-32 EP
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 8000 MHz、输出数 16 Output、传播延迟(最大值) 0.25 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-32 EP 封装。ON Semiconductor · 封装:PLCC-28
主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 1500 MHz、输出数 18 Output、传播延迟(最大值) 0.68 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 PLCC-28 封装。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 133.33 MHz、最大输出频率 133.33 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS,采用 SOIC-8 封装。IDT · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS,采用 DFN-8 封装。IDT
主要参数包括型号别名 74FCT38072S。IDT · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 Clock、输出类型 Clock,采用 DFN-8 封装。Texas Instruments · 封装:WQFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 400 MHz、输入类型 CML, HCSL, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL, XTAL、输出类型 HCSL, LVCMOS,采用 WQFN-32 封装。IDT · 封装:VFQFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 700 MHz、最大输出频率 700 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL, HCSL、输出类型 CML, LVDS, LVPECL, HCSL,采用 VFQFN-32 封装。IDT
Clock Buffer 5PB1204 Mixed Signal型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。