SL18860DC
Silicon Labs · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最大值） 3.65 V、电源电压（最小值） 1.7 V、最大输入频率 52 MHz、最大输出频率 52 MHz、输出数 3 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-10 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录PI49FCT32807HE
Diodes Incorporated · 封装：SSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输入频率 133 MHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 2.5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SSOP-20 封装。PI6C20400ALE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL，采用 TSSOP-28 封装。PI6C20800SIAE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL，采用 TSSOP-48 封装。PI6C20800SIVE
Diodes Incorporated · 封装：SSOP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL，采用 SSOP-48 封装。PI49FCT3805DHE
Diodes Incorporated · 封装：SSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 166 MHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SSOP-20 封装。PI49FCT3805AHE
Diodes Incorporated · 封装：SSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 5.8 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-20 封装。PI6C20800BIAE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL，采用 TSSOP-48 封装。PI49FCT3807HE
Diodes Incorporated · 封装：SSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-20 封装。PI6C10807HEX
Diodes Incorporated
Clock Buffer 1.8V/2.5V 250MHZ low skew 1:8CY2309CSXI-1
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。83904AG-02LF
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 1.9 ns、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-16 封装。NB4N11MDTG
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 2500 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.6 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。NB4N121KMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-52 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 400 MHz、输出数 42 Output、传播延迟（最大值） 0.95 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-52 EP 封装。83904AG-02LFT
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 83904-02 ICS83904AG-02LFT、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。CY2309CSXC-1
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、输出数 9 Output，采用 SOIC-16 封装。9P935AFLFT
IDT · 封装：SSOP-28
主要参数包括高度 1.73 mm、长度 10.2 mm、宽度 5.3 mm、型号别名 9P935 ICS9P935AFLFT、单件重量 0.025045 oz，采用 SSOP-28 封装。9DB833AFLF
IDT · 封装：SSOP-48
主要参数包括高度 2.3 mm、长度 15.9 mm、宽度 7.5 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB833 ICS9DB833AFLF、单件重量 0.021175 oz，采用 SSOP-48 封装。651MILF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 SOIC-8 封装。651MLF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.5 V、电源电压（最小值） 1.5 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 0 C，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。