SI5330M-B00231-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4 ns，采用 QFN-24 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录2309NZ-1HDCG
IDT · 封装：SOIC-16
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、型号别名 2309NZ-1H IDT2309NZ-1HDCG、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。6V31021NLGI
IDT · 封装：VFQFPN-20
主要参数包括高度 1 mm、长度 4 mm、宽度 4 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 6V31021 IDT6V31021NLGI，采用 VFQFPN-20 封装。9112BM-17LF
IDT · 封装：SOIC-16
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、型号别名 9112-17 ICS9112BM-17LF、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。SI53343-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVDS，采用 QFN-24 封装。85322AMLF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 1.8 ns、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。SI53119-A01AGM
Silicon Labs · 封装：QFN-72
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、输入类型 Differential、输出类型 Differential、输出数 19 Output，采用 QFN-72 封装。SI5330G-B00218-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS, LVPECL，采用 QFN-24 封装。SI5330M-B00233-GM
Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。PI6C20400SLE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输出频率 100 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL、类型 Clock Driver，采用 TSSOP-28 封装。670M-04ILF
IDT · 封装：SOIC-16
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、型号别名 670-04 ICS670M-04ILF、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。SI53328-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVPECL，采用 QFN-24 封装。SL2305SC-1
Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.001764 oz。LTC6957HMS-1#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-12
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最大输入频率 300 MHz、输入类型 Sine Wave、输出类型 LVPECL、类型 Low Phase Noise，采用 MSOP-12 封装。74FCT20807PYGI
IDT · 封装：SSOP-20
主要参数包括高度 1.73 mm、长度 7.2 mm、宽度 5.3 mm、型号别名 74FCT20807 IDT74FCT20807PYGI、单件重量 0.016000 oz，采用 SSOP-20 封装。SI53345-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 1.25 GHz、最大输出频率 1.25 GHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVDS，采用 QFN-32 封装。LTC6957IMS-4#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-12
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最大输入频率 300 MHz、输入类型 Sine Wave、输出类型 CMOS、类型 Low Phase Noise，采用 MSOP-12 封装。9DB633AFLF
IDT · 封装：SSOP-28
主要参数包括高度 1.73 mm、长度 10.2 mm、宽度 5.3 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB633 ICS9DB633AFLF、单件重量 0.025045 oz，采用 SSOP-28 封装。PI49FCT3807DHE
Diodes Incorporated · 封装：SSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 156 MHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SSOP-20 封装。ADCLK914BCPZ-R2
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输入频率 7.5 GHz、类型 Clock Buffer、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 0.202 ns，采用 LFCSP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。