PI6C4911505-07LIE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 1.5 GHz、最大输出频率 1.5 GHz、输入类型 CML, HCSL, HSTL, LVDS, LVECL, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 TSSOP-20 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录PI49FCT3805CHE
Diodes Incorporated · 封装：SSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-20 封装。SI53323-B-GMR
Silicon Labs · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、最大输出频率 1250 MHz、输入类型 Differential, LVCMOS、输出类型 LVPECL、类型 Low-Jitter LVPECL Clock Buffer，采用 QFN-16 封装。23S05E-1DCG8
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 23S05E IDT23S05E-1DCG8、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。853S111BKILF
IDT · 封装：VFQFPN-32
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是、型号别名 853S111BI，采用 VFQFPN-32 封装。9ZX21201BKLF
IDT · 封装：VFQFPN-64
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 9 mm、宽度 9 mm、湿敏性 是、型号别名 9ZX21201 ICS9ZX21201BKLF，采用 VFQFPN-64 封装。LMH2180SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括最大输入频率 78 MHz、最大输出频率 78 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.000384 oz，采用 WSON-8 封装。9DBV0241AKLF
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 100 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 0 C，采用 VFQFPN-24 封装。651MLFT
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 651 ICS651MLFT、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。621MLFT
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 621 ICS621MLFT、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。621NLFT
IDT · 封装：VFQFPN-8
主要参数包括高度 1 mm、长度 2 mm、宽度 2 mm、型号别名 621 ICS621NLFT，采用 VFQFPN-8 封装。SI5330K-B00224-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4 ns，采用 QFN-24 封装。9DBU0231AKLF
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输出类型 LP-HCSL、输出数 2 Output、最小工作温度 0 C，采用 VFQFPN-24 封装。23S09-1HDCG
IDT · 封装：SOIC-16
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、型号别名 23S09 IDT23S09-1HDCG、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。LTC6957IDD-4#PBF
Analog Devices · 封装：DFN-12
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、输出数 2 Output、工作电源电流 18 mA，采用 DFN-12 封装。SI53326-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVPECL，采用 QFN-32 封装。LTC6957IMS-1#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-12
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、输出数 2 Output、工作电源电流 18 mA，采用 MSOP-12 封装。SI5330H-B00220-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 4 ns，采用 QFN-24 封装。9DB1933AKLF
IDT · 封装：VFQFPN-72
主要参数包括高度 1 mm、长度 10 mm、宽度 10 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB1933 ICS9DB1933AKLF，采用 VFQFPN-72 封装。9112AG-16LF
IDT · 封装：TSSOP-8
主要参数包括高度 1 mm、长度 3.1 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 9112-16 ICS9112AG-16LF、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。