9ZXL1950BKLF
IDT · 封装：QFN-72
主要参数包括湿敏性 是，采用 QFN-72 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录PI49FCT3807CSEX
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-20 封装。PI6C20800SVEX
Diodes Incorporated · 封装：SSOP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL，采用 SSOP-48 封装。PL123-09OC
Microchip Technology / Micrel · 封装：TSSOP-16
主要参数包括单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。9DBU0641AKILF
IDT · 封装：VFQFPN-40
主要参数包括电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、输出数 2 Output，采用 VFQFPN-40 封装。SI53108-A01AGM
Silicon Labs · 封装：QFN-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、输入类型 Differential、输出类型 Differential、输出数 8 Output，采用 QFN-48 封装。PI6C49X0206TLIE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-14
采用 TSSOP-14 封装。NB3H83905CDTG
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.6 V、最大输入频率 100 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 Crystal, LVCMOS、输出类型 LVCMOS, LVTTL，采用 TSSOP-16 封装。5PB1104PGGK
IDT · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 TSSOP-8 封装。23S05T-1DCG
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、输出数 5 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-8 封装。PL133-47SC
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.25 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 SOP-8 封装。NB3M8302CDG
ON Semiconductor
主要参数包括单件重量 0.002540 oz。2309NZ-1HPGG
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 2309NZ-1H IDT2309NZ-1HPGG、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。LMH2180TM/NOPB
Texas Instruments · 封装：DSBGA-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.4 V、最大输入频率 78 MHz、最大输出频率 78 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 DSBGA-8 封装。PL133-27GI
Microchip Technology / Micrel
主要参数包括单件重量 0.002892 oz。SI53323-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、输入类型 Differential, LVCMOS、输出类型 LVPECL、类型 Low-Jitter LVPECL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。85304AG-01LF
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 5 Output、传播延迟（最大值） 2.1 ns、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-20 封装。NB3F8L3010CMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 1.5 V、最大输入频率 40 MHz、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、工作电源电流 50 mA，采用 QFN-32 封装。621SCMGI
IDT
主要参数包括型号别名 621S。PI49FCT32802LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输入频率 133 MHz、输出数 5 Output、传播延迟（最大值） 2.5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。