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型号列表

45,197 条型号记录
每页 20 条

MC100LVEL13DWG

ON Semiconductor · 封装:SOIC-20 Wide

主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 3 V、输出数 12 Output、传播延迟(最大值) 0.62 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-20 Wide 封装。

PI6C485311WE

Diodes Incorporated · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL、输出类型 LVPECL,采用 SOIC-8 封装。

9DBV0231AKLF

IDT · 封装:VFQFPN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 100 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 0 C,采用 VFQFPN-24 封装。

NB3N106KMNG

ON Semiconductor · 封装:QFN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 400 MHz、传播延迟(最大值) 1100 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-24 封装。

PI49FCT3805DQE

Diodes Incorporated · 封装:QSOP-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 166 MHz、输出数 10 Output、传播延迟(最大值) 3 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 QSOP-20 封装。

NB3V8312CMNG

ON Semiconductor · 封装:QFN-32

主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 1.8 V、最大输入频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS, LVTTL、输出类型 LVCMOS、输出数 12 Output,采用 QFN-32 封装。

9ZX21901BKLF

IDT · 封装:VFQFPN-72

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输出数 19 Output,采用 VFQFPN-72 封装。

8533AGI-01LF

IDT · 封装:TSSOP-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 1.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-20 封装。

9DB433AFILFT

IDT · 封装:SSOP-28

主要参数包括高度 1.73 mm、长度 10.2 mm、宽度 5.3 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB433 ICS9DB433AFILFT、单件重量 0.025045 oz,采用 SSOP-28 封装。

CY2308SXC-4

Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm,采用 SOIC-16 封装。

CDCLVP2102RGTT

Texas Instruments · 封装:VQFN-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL,采用 VQFN-16 封装。

8S89831AKILF

IDT · 封装:VFQFPN-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.375 V、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 0.57 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 VFQFPN-16 封装。

853S011BMILF

IDT · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 0.34 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。

ZL40216LDG1

Microchip / Microsemi · 封装:QFN-32

主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.006653 oz,采用 QFN-32 封装。

SY89834UMG

Microchip Technology / Micrel · 封装:MLF-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 1 GHz、最大输出频率 1 GHz、输入类型 CMOS, LVTTL、输出类型 LVPECL,采用 MLF-16 封装。

9DB803DFLF

IDT · 封装:SSOP-48

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 110 MHz、输出数 8 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 SSOP-48 封装。

SN65LVEP11D

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 3800 MHz、输入类型 PECL, ECL、输出类型 ECL/PECL、输出数 4 Output,采用 SOIC-8 封装。

5V2305PGGI

IDT · 封装:TSSOP-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、输出数 5 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1 mm,采用 TSSOP-16 封装。

9DBL0252BKILF

IDT · 封装:VFQFPN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 175 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL、类型 Zero Delay,采用 VFQFPN-24 封装。

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