9112AG-27LFT
IDT · 封装：TSSOP-8
主要参数包括高度 1 mm、长度 3.1 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 9112-27 ICS9112AG-27LFT、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录83905AGLF
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 40 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-16 封装。74FCT38072SDCGI
IDT
主要参数包括型号别名 74FCT38072S。MC100EP210SMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-32, 5 x 5
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 1000 MHz、输出数 20 Output、传播延迟（最大值） 0.65 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32, 5 x 5 封装。ADCLK905BCPZ-WP
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、最大输出频率 6000 MHz、类型 Clock Buffer、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 0.095 ns，采用 LFCSP-16 封装。MC100LVEP11DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.31 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 Narrow 封装。9DB433AFLFT
IDT · 封装：SSOP-28
主要参数包括高度 1.73 mm、长度 10.2 mm、宽度 5.3 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB433 ICS9DB433AFLFT、单件重量 0.025045 oz，采用 SSOP-28 封装。574MLFT
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 160 MHz、最大输出频率 160 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 SOIC-8 封装。NB3N201SDG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、传播延迟（最大值） 2.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、工作电源电流 22 mA，采用 SOIC-8 封装。NB3N206SDG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、传播延迟（最大值） 2.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、工作电源电流 22 mA，采用 SOIC-8 封装。CDCLVC1110PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V, 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V, 3 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-20 封装。9DB403DFLFT
IDT · 封装：SSOP-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 400 MHz、输入类型 Clock、输出类型 HCSL，采用 SSOP-28 封装。PL133-37TI
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOT-23-6
主要参数包括单件重量 0.001270 oz，采用 SOT-23-6 封装。PI6C49X0204AWIE
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 SOIC-8 封装。PI6CV2304LE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 160 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。NB7VQ14MMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 8.5 GHz、输入类型 CML, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 CML、输出数 4 Output，采用 QFN-16 封装。570BLF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最大输出频率 170 MHz、输入类型 Clock、输出类型 CMOS、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。NB6L11DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 6000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.2 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 Narrow 封装。23S05-1HDCG8
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 23S05 IDT23S05-1HDCG8、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。5PB1110PGGI
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。