SI53360-B-GT
Silicon Labs · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输出频率 200 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 Low Jitter CMOS Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录2305-1HDCGI8
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 SOIC-8 封装。CY2309SXI-1H
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。85320AMILF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 1.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。MC10EP11DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.27 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 Narrow 封装。9ZXL1530BKLF
IDT · 封装：VFQFPN-64
主要参数包括电源电压（最大值） 4.6 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 15 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 0.9 mm，采用 VFQFPN-64 封装。5T30553DCGI
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。670M-01LF
IDT · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 160 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-16 封装。PL138-48OI
Microchip Technology / Micrel · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 700 MHz、最大输出频率 700 MHz、输入类型 LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 TSSOP-20 封装。9DB833AGLF
IDT · 封装：TSSOP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 166 MHz、最大输出频率 110 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL，采用 TSSOP-48 封装。9DBV0441AKLF
IDT · 封装：VFQFPN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 100 MHz、输出数 4 Output、最小工作温度 0 C，采用 VFQFPN-32 封装。8543BGILF
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 2.6 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-20 封装。PI49FCT32803QE
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输入频率 133 MHz、输出数 7 Output、传播延迟（最大值） 2.5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-16 封装。854S712AKILF
IDT · 封装：VFQFPN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输出频率 3 GHz、输入类型 CML, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS、传播延迟（最大值） 500 ps，采用 VFQFPN-16 封装。CY2304NZZXC-1T
Cypress Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 140 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-8 封装。853S111BYILF
IDT · 封装：PTQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.375 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 0.495 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 PTQFP-32 封装。NB3N51034DTG
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、最大输入频率 25 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL, LVDS、输出类型 HCSL, LVDS、输出数 4 Output，采用 TSSOP-20 封装。SI53322-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、输入类型 Differential, LVCMOS、输出类型 LVPECL、类型 Low-Jitter LVPECL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。SI5330B-B00205-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 710 MHz、最大输出频率 710 MHz、输入类型 LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS, LVPECL，采用 QFN-24 封装。SY75576LKY
Microchip Technology / Micrel · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 267 MHz、最大输出频率 267 MHz、输入类型 HCSL, LVDS、输出类型 HCSL, LVDS，采用 TSSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。