85408BGILF
IDT · 封装:TSSOP-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 2.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-24 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:TSSOP-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 2.4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-24 封装。Microchip / Microsemi
主要参数包括湿敏性 是。Diodes Incorporated · 封装:QSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输出频率 10 MHz、输出数 10 Output、传播延迟(最大值) 4.5 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 QSOP-20 封装。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 2305A IDT2305A-1DCGI、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:WQFN-40
主要参数包括最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 400 MHz、输入类型 CML, HCSL, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL, XTAL、输出类型 HCSL, LVCMOS、输出数 8 Output、最小工作温度 - 40 C,采用 WQFN-40 封装。IDT · 封装:VFQFPN-32
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBV0441,采用 VFQFPN-32 封装。IDT · 封装:VFQFPN-72
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 400 MHz、输入类型 Clock、输出类型 HCSL,采用 VFQFPN-72 封装。ON Semiconductor · 封装:QFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 350 MHz、输入类型 HCSL, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL、输出数 8 Output,采用 QFN-32 封装。IDT · 封装:SSOP-28
主要参数包括高度 1.73 mm、长度 10.2 mm、宽度 5.3 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB433 ICS9DB433AFILF、单件重量 0.025045 oz,采用 SSOP-28 封装。IDT · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS,采用 TSSOP-16 封装。IDT · 封装:TSSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 1.9 ns、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 TSSOP-20 封装。IDT · 封装:VFQFPN-32
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBV0431,采用 VFQFPN-32 封装。Silicon Labs · 封装:QFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、输入类型 Differential、输出类型 Differential、输出数 6 Output,采用 QFN-40 封装。Diodes Incorporated · 封装:QSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、输出数 5 Output、传播延迟(最大值) 3.5 ns、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 QSOP-16 封装。Cypress Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输出频率 133.33 MHz、类型 Clock Buffer、输出数 5 Output、传播延迟(最大值) 0 ns,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:VSSOP-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 3800 MHz、输入类型 PECL, ECL、输出类型 ECL/PECL、输出数 4 Output,采用 VSSOP-8 封装。Silicon Labs · 封装:QFN-64
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、输入类型 Differential、输出类型 Differential、输出数 12 Output,采用 QFN-64 封装。IDT · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 2.5 GHz、最大输出频率 2.5 GHz、输入类型 CML, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL,采用 TSSOP-16 封装。ON Semiconductor · 封装:PLCC-28
主要参数包括电源电压(最大值) 5.7 V、电源电压(最小值) 4.2 V、最大输入频率 800 MHz、输出数 18 Output、传播延迟(最大值) 0.68 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 PLCC-28 封装。IDT · 封装:TSSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 3.5 ns、最小工作温度 0 C,采用 TSSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。