PI6CV304WE
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 160 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SI5330F-B00214-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。SI5330B-B00204-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 710 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-24 封装。551SCMGI8
IDT
主要参数包括型号别名 551S。9DB403DGILF
IDT · 封装：TSSOP-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL, LVDS、输出数 4 Output，采用 TSSOP-28 封装。524MILF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 Clock、输出类型 Clock、输出数 4 Output，采用 SOIC-8 封装。SI5330L-B00228-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4 ns，采用 QFN-24 封装。9DBL411BKILF
IDT · 封装：VFQFPN-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输出类型 LP-HCSL、输出数 4 Output，采用 VFQFPN-20 封装。2305-1DCG
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、输出数 5 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-8 封装。2304NZGI-1LF
IDT · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3.8 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-8 封装。PL133-27GC-R
Microchip Technology / Micrel
主要参数包括单件重量 0.000201 oz。SY89833ALMG
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 470 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 MLF-16 封装。ADCLK914BCPZ-WP
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输入频率 7.5 GHz、类型 Clock Buffer、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 0.202 ns，采用 LFCSP-16 封装。CY2308ZXC-1H
Cypress Semiconductor · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 0.95 mm，采用 TSSOP-16 封装。NB7V58MMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 8 GHz、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 180 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。MC100EP11DTG
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.27 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。NB7L14MNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 8000 MHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 0.2 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 EP 封装。2304NZGI-1LFT
IDT · 封装：TSSOP-8
主要参数包括高度 1 mm、长度 3.1 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 2304NZ ICS2304NZGI-1LFT、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。8308AGILF
IDT · 封装：TSSOP-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-24 封装。ADCLK944BCPZ-R2
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输出频率 7 GHz、类型 Clock Fanout Buffer、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 0.13 ns，采用 LFCSP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。