553MLF
IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 3 ns、最小工作温度 0 C,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 3 ns、最小工作温度 0 C,采用 SOIC-8 封装。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、输出数 5 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.5 mm,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor · 封装:TSSOP-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 1000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 0.405 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-8 封装。IDT
主要参数包括型号别名 74FCT38074S。IDT
Clock Buffer 5PB1204 Mixed SignalON Semiconductor · 封装:SOIC-8 Narrow
主要参数包括电源电压(最大值) 5.7 V、电源电压(最小值) 4.2 V、最大输入频率 1500 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 0.44 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 Narrow 封装。IDT · 封装:VFQFPN-16
主要参数包括电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 167 MHz、输入类型 LVDS、输出类型 LP-HCSL,采用 VFQFPN-16 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输出频率 7 GHz、类型 Clock Fanout Buffer、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 0.13 ns,采用 LFCSP-16 封装。IDT
主要参数包括型号别名 74FCT38075S。Texas Instruments · 封装:WQFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 400 MHz、输入类型 CML, HCSL, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL, XTAL、输出类型 HCSL,采用 WQFN-32 封装。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输出频率 133 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、输出数 5 Output,采用 SOIC-8 封装。IDT · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 40 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 SOIC-16 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 1.6 V、电源电压(最小值) 1.1 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS,采用 SOIC-8 封装。IDT · 封装:TSSOP-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 0.34 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-8 封装。IDT · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输出频率 700 MHz、输入类型 HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL、输出类型 LVDS、输出数 4 Output,采用 TSSOP-16 封装。Silicon Labs · 封装:QFN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 4 ns,采用 QFN-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 160 MHz、输出类型 LVCMOS、类型 High Speed, Low Noise、输出数 4 Output,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.5 V、最大输出频率 6000 MHz、类型 Clock Buffer、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 0.095 ns,采用 LFCSP-16 封装。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 570 ICS570BILFT、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Micrel
Clock Buffer Industrial Grade 2-Output DC to MHz CMOS Buffer型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。