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逻辑与时钟

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45,197 条型号记录
每页 20 条

5PB1104PGGI

IDT · 封装：TSSOP-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-8 封装。
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551MILF

IDT · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 160 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。
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NB3L553MNR4G

ON Semiconductor · 封装：DFN-8 EP

主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 EP 封装。
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PI49FCT3807CHE

Diodes Incorporated · 封装：SSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-20 封装。
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PI49FCT3807BQE

Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 3.8 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QSOP-20 封装。
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PI49FCT3807DSEX

Diodes Incorporated · 封装：SOIC-20

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 156 MHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-20 封装。
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NB3N2304NZDTG

ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 140 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。
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NB3L553DG

ON Semiconductor · 封装：SOIC-8 Narrow

主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 Narrow 封装。
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CY2309SXI-1

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。
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PI6C4911505-04LIE

Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 1.5 GHz、最大输出频率 1.5 GHz、输入类型 Differential, LVCMOS、输出类型 LVPECL，采用 TSSOP-20 封装。
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PI6CEQ20200LIE

Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 110 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL、类型 Zero Delay Buffer，采用 TSSOP-20 封装。
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PI49FCT20807HE

Diodes Incorporated · 封装：SSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SSOP-20 封装。
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PI49FCT20807QE

Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-20 封装。
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CDCS503PW

Texas Instruments · 封装：TSSOP-8

主要参数包括最大输入频率 32 MHz、最大输出频率 108 MHz、类型 Clock Buffer/Clock Multiplier、输出数 1 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-8 封装。
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9DB433AGLF

IDT · 封装：TSSOP-28

主要参数包括电源电压（最大值） 4.6 V、电源电压（最小值） 3.3 V、最大输入频率 166 MHz、最大输出频率 100 MHz、输出数 4 Output、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-28 封装。
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9DB803DGLF

IDT · 封装：TSSOP-48

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 110 MHz、输出数 8 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-48 封装。
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MC10EP89DTG

ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8

主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 2000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.37 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。
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9DBL411BGILF

IDT · 封装：TSSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输出类型 LP-HCSL、输出数 4 Output，采用 TSSOP-20 封装。
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