524SCMGI
IDT
主要参数包括型号别名 524S。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录ADCLK946BCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输出频率 4800 MHz、类型 Clock Fanout Buffer、输出数 6 Output、传播延迟（最大值） 0.22 ns，采用 LFCSP-24 封装。PI6CV304LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 160 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。5PB1106PGGI
IDT · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-14 封装。CDCLVC1103PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V, 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V, 3 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-8 封装。CY2308SXC-2
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。PI6C10804WE
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 1.4 V、最大输入频率 250 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。CY2304NZZXI-1
Cypress Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 140 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。85411AMILF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 2.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。ADCLK925BCPZ-WP
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、最大输出频率 6000 MHz、类型 Clock Fanout Buffer、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 0.095 ns，采用 LFCSP-16 封装。NB7L1008MNG
ON Semiconductor
主要参数包括单件重量 0.000522 oz。NB6N11SMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 2000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.47 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 EP 封装。LMK00101SQE/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 WQFN-32 封装。CDCVF2310PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVTTL、输出类型 LVTTL，采用 TSSOP-24 封装。SY89832UMG
Microchip Technology / Micrel · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2.5 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 570 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。NB6L14SMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、最大输入频率 2 GHz、类型 Any Level Differential Input to LVDS Fanout Buffer/Translator、传播延迟（最大值） 600 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-16 封装。CDCVF2310PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVTTL、输出类型 LVTTL，采用 TSSOP-24 封装。5PB1108PGGI
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-16 封装。CDCLVC1104PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V, 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V, 3 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-8 封装。570BILF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最大输出频率 170 MHz、输入类型 Clock、输出类型 CMOS、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。