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逻辑与时钟

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45,197 条型号记录
每页 20 条

MC10EL11DG

ON Semiconductor · 封装：SOIC-8 Narrow

主要参数包括电源电压（最大值） 5.7 V、电源电压（最小值） 4.2 V、最大输入频率 1500 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.34 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 Narrow 封装。
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PI49FCT32805QE

Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输入频率 133 MHz、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-20 封装。
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LMK00334RTVT

Texas Instruments · 封装：WQFN-32

主要参数包括最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 400 MHz、输入类型 CML, HCSL, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL, XTAL、输出类型 HCSL、输出数 4 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 WQFN-32 封装。
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9DB1233AGLF

IDT · 封装：TSSOP-64

主要参数包括电源电压（最大值） 4.6 V、电源电压（最小值） 3.3 V、最大输入频率 166 MHz、最大输出频率 100 MHz、输出数 12 Output、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-64 封装。
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ADCLK954BCPZ

Analog Devices · 封装：LFCSP-40

主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输出频率 4800 MHz、类型 Dual Clock Buffer、输出数 12 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 LFCSP-40 封装。
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9DB106BGILF

IDT · 封装：TSSOP-28

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 105 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-28 封装。
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9DB803DGILF

IDT · 封装：TSSOP-48

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 110 MHz、输出数 8 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-48 封装。
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9DB833AGILF

IDT · 封装：TSSOP-48

主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、最大输入频率 166 MHz、输出数 8 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1 mm，采用 TSSOP-48 封装。
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CDCV304PWG4

Texas Instruments · 封装：TSSOP-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVTTL、输出类型 LVTTL，采用 TSSOP-8 封装。
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CY2304SXI-1

Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-8 封装。
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9DB433AGILF

IDT · 封装：TSSOP-28

主要参数包括电源电压（最大值） 4.6 V、电源电压（最小值） 3.3 V、最大输入频率 166 MHz、最大输出频率 100 MHz、输出数 4 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-28 封装。
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MC100LVEP11DTG

ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.31 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。
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CDCLVP1102RGTT

Texas Instruments · 封装：VQFN-16

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-16 封装。
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2305-1DCGI

IDT · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输出频率 133 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、输出数 5 Output，采用 SOIC-8 封装。
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5PB1108CMGI

IDT · 封装：QFN-16

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 QFN-16 封装。
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551SCMGI

IDT · 封装：DFN-8

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 Clock、输出类型 Clock，采用 DFN-8 封装。
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552G-02ILN

IDT · 封装：TSSOP-16

主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-16 封装。
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8535AG-31LF

IDT · 封装：TSSOP-20

主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 1.65 ns、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-20 封装。
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