SI5330A-B00202-GM
Silicon Labs · 封装:QFN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 710 MHz、最大输出频率 710 MHz、输入类型 LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS, LVPECL,采用 QFN-24 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Silicon Labs · 封装:QFN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 710 MHz、最大输出频率 710 MHz、输入类型 LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS, LVPECL,采用 QFN-24 封装。Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。IDT · 封装:VFQFPN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、输出数 2 Output,采用 VFQFPN-48 封装。IDT · 封装:VFQFPN-48
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 6 mm、宽度 6 mm、湿敏性 是、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DBV0831,采用 VFQFPN-48 封装。IDT · 封装:VFQFPN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 1.71 V、电源电压(最小值) 3.465 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 Crystal, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL,采用 VFQFPN-24 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:TSSOP-16
主要参数包括单件重量 0.006102 oz,采用 TSSOP-16 封装。IDT · 封装:TSSOP-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 8 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 TSSOP-48 封装。IDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C,采用 VFQFPN-40 封装。IDT · 封装:VFQFPN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、输出数 2 Output,采用 VFQFPN-48 封装。IDT · 封装:TSSOP-16
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 23S09E IDT23S09E-1HPGGI、单件重量 0.006102 oz,采用 TSSOP-16 封装。IDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出数 2 Output、最小工作温度 0 C,采用 VFQFPN-40 封装。IDT · 封装:TSSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 4.6 V、电源电压(最小值) 3.3 V、最大输入频率 110 MHz、最大输出频率 100 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 0 C,采用 TSSOP-20 封装。IDT · 封装:TSSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 100 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 Clock、输出类型 HCSL,采用 TSSOP-20 封装。Diodes Incorporated · 封装:QSOP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、输出数 10 Output、传播延迟(最大值) 5.8 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 2.7 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V, 3 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS,采用 TSSOP-16 封装。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 160 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 4 ns、最小工作温度 0 C,采用 SOIC-8 封装。IDT
主要参数包括型号别名 524S。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 2.35 ns、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 SOIC-8 封装。IDT · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 2.35 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-14
主要参数包括电源电压(最大值) 2.7 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V, 3 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS,采用 TSSOP-14 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。