23S09E-1HPGG
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 23S09E IDT23S09E-1HPGG、单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录CY2308SXI-1
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。23S05T-1DCGI
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输出频率 133 MHz、输出数 5 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。85314BGI-01LF
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输出频率 700 MHz、输入类型 Clock/LVCMOS、输出类型 LVPECL、输出数 5 Output，采用 TSSOP-20 封装。85311AMLF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输出频率 1 GHz、输入类型 Clock、输出类型 ECL, LVPECL、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。853S006AGILF
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2 GHz、最大输出频率 2 GHz、输入类型 CML, LVDS, LVPECL、输出类型 ECL, LVPECL，采用 TSSOP-20 封装。9DBU0241AKILF
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、输出数 2 Output，采用 VFQFPN-24 封装。9ZX21200AKLF
IDT · 封装：VFQFPN-56
主要参数包括高度 0.85 mm、长度 8 mm、宽度 8 mm、湿敏性 是、型号别名 9ZX21200 ICS9ZX21200AKLF，采用 VFQFPN-56 封装。NBA3N206SDG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 100 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 LVCMOS, M-LVDS、输出类型 LVCMOS, M-LVDS，采用 SOIC-8 封装。9DBV0431AKLF
IDT · 封装：VFQFPN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 100 MHz、输出数 4 Output、最小工作温度 0 C，采用 VFQFPN-32 封装。MC100EP11DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.27 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 Narrow 封装。SI53311-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 1250 MHz、最大输出频率 1250 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。9DBV0231AKILF
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、最大输入频率 137.5 MHz、最大输出频率 137.5 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 0 C，采用 VFQFPN-24 封装。830S21AMILF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL、输出类型 LVCMOS, LVTTL，采用 SOIC-8 封装。9DB633AFILF
IDT · 封装：SSOP-28
主要参数包括高度 1.73 mm、长度 10.2 mm、宽度 5.3 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB633 ICS9DB633AFILF、单件重量 0.025045 oz，采用 SSOP-28 封装。8535AGI-01LF
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 1.9 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-20 封装。83905AGILF
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 40 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-16 封装。830154AGI-08LF
IDT · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.4 V、最大输入频率 160 MHz、最大输出频率 160 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-8 封装。ZL40218LDG1
Microchip / Microsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括湿敏性 是、单件重量 0.006653 oz，采用 QFN-32 封装。NB3N511DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、最大输入频率 50 MHz、类型 PLL Clock Multiplier、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。