670M-03ILF
IDT · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 210 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录9ZX21501BKLF
IDT · 封装：VFQFPN-64
主要参数包括电源电压（最大值） 4.6 V、电源电压（最小值） 3.3 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 400 MHz、输出数 15 Output、最小工作温度 0 C，采用 VFQFPN-64 封装。9ZXL1231AKLF
IDT · 封装：QFN-64
主要参数包括电源电压（最大值） 4.6 V、最大输入频率 150 MHz、输出数 12 Output、传播延迟（最大值） 50 ps、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 QFN-64 封装。9ZX21501CKLF
IDT · 封装：VFQFPN-64
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 9 mm、宽度 9 mm、湿敏性 是、型号别名 9ZX21501 ICS9ZX21501CKLF，采用 VFQFPN-64 封装。2309NZ-1HDCGI
IDT · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、输出数 9 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.5 mm，采用 SOIC-16 封装。9ZX21201AKLF
IDT · 封装：VFQFPN-64
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 9 mm、宽度 9 mm、湿敏性 是、型号别名 9ZX21201 ICS9ZX21201AKLF，采用 VFQFPN-64 封装。NB3U1548CDG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.4 V、最大输入频率 160 MHz、最大输出频率 160 MHz、输入类型 LVCMOS, TTL、输出类型 LVCMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。9DBL411BKLFT
IDT · 封装：VFQFPN-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 Differential, LVCMOS、输出类型 LP-HCSL，采用 VFQFPN-20 封装。830S21AMI-01LF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 830S21I-01 ICS830S21AMI-01LF、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。74FCT38074SCMGI
IDT
主要参数包括型号别名 74FCT38074S。9DBU0241AKLF
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、输出数 2 Output，采用 VFQFPN-24 封装。9DBU0531AKILF
IDT · 封装：VFQFPN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、输出数 2 Output，采用 VFQFPN-32 封装。NB3M8304CDG
ON Semiconductor
Clock Buffer 3.3V 200MHZ 1:4 LVCMOS, L9DBU0541AKILF
IDT · 封装：VFQFPN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 167 MHz、输入类型 HCSL、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 VFQFPN-32 封装。5P1103A523NLGI
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 Crystal, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL，采用 VFQFPN-24 封装。PL133-67OI
Microchip Technology / Micrel · 封装：TSSOP-16
主要参数包括单件重量 0.006102 oz，采用 TSSOP-16 封装。5PB1102CMGK
IDT · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 DFN-8 封装。6V31024NLG
IDT
Clock Buffer PCIE BUFFER - GEN1/2/3 - LOW POWER552-02SPGGI
IDT
Clock Buffer Low Skew 2-in MUX 1 to 8 Clock BufferLV810RILF
IDT · 封装：QSOP-20
主要参数包括高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 LV810、单件重量 0.008508 oz，采用 QSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。