5PB1108PGGI8
IDT
主要参数包括型号别名 5PB1108。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SI53156-A01AGMR
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 210 MHz、最大输出频率 100 MHz、输出数 3 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。LMK00306SQE/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-36
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最大输入频率 3.1 GHz、最大输出频率 3100 MHz、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出数 7 Output，采用 WQFN-36 封装。CY2305CSXC-1H
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-8 封装。CDCE18005RGZT
Texas Instruments · 封装：VQFN-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 1500 MHz、最大输出频率 1500 MHz、输入类型 LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-48 封装。CY2309SXC-1
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、类型 Clock Buffer / Driver、输出数 9 Output，采用 SOIC-16 封装。8543BGLF
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 2.6 ns、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-20 封装。PL123-02NGI-R
Microchip Technology / Micrel · 封装：DFN-6
主要参数包括单件重量 0.000744 oz，采用 DFN-6 封装。83023AMILFT
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 83023I ICS83023AMILFT、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。CY2305CSXC-1HT
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-8 封装。2305-1DCG8
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输出频率 133 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、输出数 5 Output，采用 SOIC-8 封装。9ZX21901BKLFT
IDT · 封装：VFQFPN-72
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 400 MHz、输出类型 HCSL、输出数 19 Output，采用 VFQFPN-72 封装。9DB803DGLFT
IDT · 封装：TSSOP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 110 MHz、输出数 8 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-48 封装。9DB102BGILFT
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括高度 1 mm、长度 6.5 mm、宽度 4.4 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB102 ICS9DB102BGILFT、单件重量 0.006737 oz，采用 TSSOP-20 封装。PL138-48OC
Microchip Technology / Micrel · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输出频率 700 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 890 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-20 封装。524MILFT
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 SOIC-8 封装。SI5330B-B00204-GMR
Silicon Labs
主要参数包括湿敏性 是。SI53159-A01AGM
Silicon Labs · 封装：QFN-48
主要参数包括最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 100 MHz、类型 Clock Generator、输出数 9 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-48 封装。9DMV0141AKILFT
IDT
主要参数包括湿敏性 是。524SCMGI8
IDT
主要参数包括型号别名 524S。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。