5T9306NLGI
IDT · 封装：VFQFPN-28
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输入频率 1 GHz、最大输出频率 1 GHz、输入类型 CML, HSTL, LVDS, LVCMOS, LVPECL、输出类型 LVDS，采用 VFQFPN-28 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录8304AMLF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3.3 ns、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。LTC6957IDD-3#PBF
Analog Devices · 封装：DFN-12
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最大输入频率 300 MHz、输入类型 Single Ended、输出类型 CMOS、类型 Low Phase Noise，采用 DFN-12 封装。9DB833AGILFT
IDT · 封装：TSSOP-48
主要参数包括高度 1 mm、长度 12.5 mm、宽度 6.1 mm、商品名称 PCI EXPRESS、型号别名 9DB833 ICS9DB833AGILFT、单件重量 0.014850 oz，采用 TSSOP-48 封装。LMK00304SQE/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、最大输入频率 3100 MHz、最大输出频率 3100 MHz、输入类型 LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 WQFN-32 封装。SI53156-A01AGM
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 100 MHz、类型 Clock Generator、输出数 6 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-32 封装。9DB403DGLFT
IDT · 封装：TSSOP-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL, LVDS、输出数 4 Output，采用 TSSOP-28 封装。NB3RL02FCT2G
ON Semiconductor · 封装：WLCSP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输入频率 52 MHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 12 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 WLCSP-8 封装。ADCLK907BCPZ-R2
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、最大输出频率 6000 MHz、类型 Clock Buffer、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 0.095 ns，采用 LFCSP-16 封装。85102AGILF
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输入频率 700 MHz、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 3.2 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-16 封装。83021AMILFT
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 83021I ICS83021AMILFT、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。9DB403DGILFT
IDT · 封装：TSSOP-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL, LVDS、输出数 4 Output，采用 TSSOP-28 封装。8302AMILFT
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 8302I ICS8302AMILFT、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。SI53102-A3-GMR
Silicon Labs · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输入频率 175 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TDFN-8 封装。ADCLK954BCPZ-REEL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-40
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输出频率 4800 MHz、类型 Dual Clock Buffer、输出数 12 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 LFCSP-40 封装。LMK00308SQ/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-40
主要参数包括最大输出频率 3100 MHz、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出数 9 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、开发套件 LMK00308EVM/NOPB，采用 WQFN-40 封装。9DB233AGILFT
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 110 MHz、最大输出频率 110 MHz、输入类型 Clock、输出类型 HCSL，采用 TSSOP-20 封装。CY2308SXC-1
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。83026BMI-01LF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 1.9 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。9DB106BGLFT
IDT · 封装：TSSOP-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 105 MHz、最大输出频率 105 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 HCSL，采用 TSSOP-28 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。