CDCLVP1204RGTR
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录CDCLVD1204RGTT
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS，采用 VQFN-16 封装。CDCLVD2102RGTT
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS，采用 VQFN-16 封装。LMK00105SQE/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 WQFN-24 封装。SY89833LMG
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 2 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 600 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 MLF-16 封装。CDCLVD1204RGTR
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS、输出数 4 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 VQFN-16 封装。LMK00804BPW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输出频率 350 MHz、输入类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL、输出类型 LVCMOS/LVTTL、输出数 4 Output，采用 TSSOP-16 封装。LMK00804BPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL、输出类型 LVCMOS/LVTTL，采用 TSSOP-16 封装。553MILFT
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 CMOS、输出类型 CMOS、输出数 4 Output，采用 SOIC-8 封装。553MILF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。SI53301-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 725 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-32 封装。CDCLVC1102PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V, 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V, 3 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-8 封装。CDCV304PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVTTL、输出类型 LVTTL，采用 TSSOP-8 封装。CDCLVC1104PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V, 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V, 3 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-8 封装。5PB1104CMGI
IDT · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 DFN-8 封装。CDCLVC1103PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V, 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V, 3 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-8 封装。551MLFT
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 160 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 0 C，采用 SOIC-8 封装。CDCLVC1102PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V, 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V, 3 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-8 封装。NB3L553DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 Narrow 封装。CDC3RL02YFPR
Texas Instruments · 封装：DSBGA-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大输出频率 52 MHz、输出数 2 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 DSBGA-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。