85411AMLF
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输出频率 650 MHz、输入类型 Clock、输出类型 LVDS、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录853S111BYILFT
IDT · 封装：PTQFP-32
主要参数包括高度 1 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是、型号别名 853S111BI ICS853S111BYILFT，采用 PTQFP-32 封装。CDCLVP1208RHDT
Texas Instruments · 封装：VQFN-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-28 封装。ADCLK925BCPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、最大输出频率 6000 MHz、类型 Clock Fanout Buffer、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 0.095 ns，采用 LFCSP-16 封装。ADCLK948BCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大输出频率 4800 MHz、输入类型 CML, CMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL、类型 Clock Fanout Buffer，采用 LFCSP-32 封装。CDCLVD1213RGTT
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS，采用 VQFN-16 封装。NB6N14SMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 2000 MHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 0.6 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 EP 封装。CDCLVD1208RHDT
Texas Instruments · 封装：VQFN-28
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS，采用 VQFN-28 封装。ADCLK846BCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括电源电压（最大值） 1.89 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 1200 MHz、最大输出频率 1200 MHz、类型 Clock Fanout Buffer、输出数 6 Output，采用 LFCSP-24 封装。CDCLVC1108PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V, 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V, 3 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-16 封装。552G-02ILNT
IDT · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 3.5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-16 封装。CDCM1802RGTT
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVPECL、输出类型 LVCMOS, LVPECL，采用 VQFN-16 封装。LMK00101SQ/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、输出数 10 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 WQFN-32 封装。8535AGI-31LF
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 1.65 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-20 封装。PI6C4911510FAIEX
Diodes Incorporated · 封装：TQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 1.5 GHz、最大输出频率 1.5 GHz、输入类型 CML, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 LVPECL，采用 TQFP-32 封装。CDCLVC1106PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最大值） 2.7 V, 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V, 3 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS，采用 TSSOP-14 封装。NB6N11SMNR2G
ON Semiconductor · 封装：QFN-16 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 2000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.47 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 EP 封装。NB6L11SMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.45 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 EP 封装。CDCLVP1204RGTT
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-16 封装。NB7L1008MNTXG
ON Semiconductor
Clock Buffer 2.5V / 3.3V 1:8 PECL FANO型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。