CDCP1803RGET
Texas Instruments · 封装：VQFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-24 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录MC100LVEP11MNR4G
ON Semiconductor · 封装：DFN-8 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.31 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 EP 封装。CY2309SXC-1T
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。CY2309SXC-1H
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。CY2305CSXI-1H
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-8 封装。CY2305CSXI-1HT
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-8 封装。CY2305CSXI-1
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-8 封装。83026BGI-01LFT
IDT · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL, SSTL、输出类型 LVCMOS/LVTTL，采用 TSSOP-8 封装。CDCM1804RGET
Texas Instruments · 封装：VQFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVPECL、输出类型 LVCMOS, LVPECL，采用 VQFN-24 封装。8312AYLF
IDT · 封装：TQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 200 MHz、输出数 12 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TQFP-32 封装。SY89831UMG-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-16
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 SY89831UMG TR、单件重量 0.000751 oz，采用 MLF-16 封装。CDCLVP215RHBT
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 3500 MHz、最大输出频率 3500 MHz、输入类型 LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-32 封装。CY2304NZZXI-1T
Cypress Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 140 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。CDCLVD1216RGZT
Texas Instruments · 封装：VQFN-48
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS，采用 VQFN-48 封装。NB6L14MNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 3 GHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 500 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 EP 封装。NB6L14MMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 0.48 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 EP 封装。670M-03ILFT
IDT · 封装：SOIC-16
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、型号别名 670-03 ICS670M-03ILFT、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。9ZXL1231AKLFT
IDT · 封装：QFN-64
主要参数包括高度 0.9 mm、长度 9 mm、宽度 9 mm、湿敏性 是、型号别名 9ZXL1231 ICS9ZXL1231AKLFT，采用 QFN-64 封装。CY2309CSXC-1H
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。SI53307-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 725 MHz、输入类型 Differential, Single Ended、输出类型 CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出数 4 Output，采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。