CDCLVD2106RHAT
Texas Instruments · 封装：VQFN-40
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS，采用 VQFN-40 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录NB3N108KMNR4G
ON Semiconductor · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、最大输入频率 400 MHz、传播延迟（最大值） 1100 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、工作电源电流 230 mA，采用 QFN-32 封装。CDCLVP2104RHDT
Texas Instruments · 封装：VQFN-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-28 封装。MC100LVE111FNR2G
ON Semiconductor · 封装：PLCC-28
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 1.5 GHz、输出数 18 Output、传播延迟（最大值） 650 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 PLCC-28 封装。LMK00308SQE/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-40
主要参数包括最大输出频率 3100 MHz、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出数 9 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、开发套件 LMK00308EVM/NOPB，采用 WQFN-40 封装。NB7L1008MMNR4G
ON Semiconductor · 封装：QFN-32 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 8000 MHz、输出数 16 Output、传播延迟（最大值） 0.25 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 EP 封装。CY2304SXI-2
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-8 封装。CY2309CSXI-1H
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、输出数 9 Output，采用 SOIC-16 封装。ADCLK905BCPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 2.5 V、最大输出频率 6000 MHz、类型 Clock Buffer、输出数 1 Output、传播延迟（最大值） 0.095 ns，采用 LFCSP-16 封装。CY2304NZZXC-1
Cypress Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 140 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 5 ns、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-8 封装。NB3N111KMNR4G
ON Semiconductor · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、最大输入频率 400 MHz、传播延迟（最大值） 1100 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、工作电源电流 260 mA，采用 QFN-32 封装。8R9306NLGI
IDT · 封装：VFQFPN-28
主要参数包括高度 0.85 mm、长度 6 mm、宽度 6 mm、湿敏性 是、型号别名 8R9306I，采用 VFQFPN-28 封装。NB7VQ14MMNHTBG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 8.5 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 225 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。CDCLVD2104RHDT
Texas Instruments · 封装：VQFN-28
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS，采用 VQFN-28 封装。CY2308SXI-1H
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。2309NZ-1HDCGI8
IDT · 封装：SOIC-16
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、型号别名 2309NZ-1H IDT2309NZ-1HDCGI8、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。NB3W1200LMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-64
主要参数包括电源电压（最大值） 4.6 V、电源电压（最小值） 3.3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、输入类型 HCSL, Push-Pull、输出类型 NMOS，采用 QFN-64 封装。NB3N1200KMNTXG
ON Semiconductor · 封装：QFN-64
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、输入类型 HCSL, Push-Pull、输出类型 HCSL、输出数 12 Output，采用 QFN-64 封装。NB3W800LMNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL，采用 QFN-48 封装。CY2304SXC-1
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。