9112AM-16LFT
IDT · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 133 MHz、输出数 5 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOIC-8 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录NB6L11DTR2G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 6000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 0.2 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。CDCV304TPWREP
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVTTL、输出类型 LVTTL、输出数 4 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-8 封装。PI6C4931502-04LIEX
Diodes Incorporated
Clock Buffer 1:2 HCSL BufferPI6C20800SAEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL，采用 TSSOP-48 封装。NBSG14MNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 12000 MHz、输出数 8 Output、传播延迟（最大值） 0.16 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 EP 封装。NBSG11MNG
ON Semiconductor · 封装：QFN-16 EP
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 12 GHz、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 160 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 EP 封装。MC100LVEP210FAG
ON Semiconductor · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 20 Output、传播延迟（最大值） 0.43 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 LQFP-32 封装。CY2309ZXC-1H
Cypress Semiconductor · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 0.95 mm，采用 TSSOP-16 封装。CDCLVP2108RGZT
Texas Instruments · 封装：VQFN-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-48 封装。8316AKLF
IDT · 封装：VFQFPN-32
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是、型号别名 8316 ICS8316AKLF，采用 VFQFPN-32 封装。8545BGILF
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输出数 4 Output、传播延迟（最大值） 3.6 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-20 封装。CY2308SXI-3
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 133 MHz、最大输出频率 133 MHz、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、输出数 8 Output，采用 SOIC-16 封装。CY2308SXI-4
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.48 mm，采用 SOIC-16 封装。CDCL1810RGZT
Texas Instruments · 封装：VQFN-48
主要参数包括电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、最大输入频率 650 MHz、最大输出频率 650 MHz、输入类型 LVDS、输出类型 CML，采用 VQFN-48 封装。CY2309NZSXC-1H
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 133.33 MHz、输出数 9 Output、传播延迟（最大值） 9.2 ns、最小工作温度 0 C，采用 SOIC-16 封装。CDCLVP1212RHAT
Texas Instruments · 封装：VQFN-40
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2000 MHz、最大输出频率 2000 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 VQFN-40 封装。CY2309NZSXI-1H
Cypress Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大输入频率 133.33 MHz、输出数 9 Output、传播延迟（最大值） 9.2 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-16 封装。CDCLVD110AVF
Texas Instruments · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 1100 MHz、最大输出频率 1100 MHz、输入类型 LVDS、输出类型 LVDS，采用 LQFP-32 封装。CY2309ZXI-1H
Cypress Semiconductor · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.95 mm，采用 TSSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。