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型号列表

45,197 条型号记录
每页 20 条

9DBL0242BKILF

IDT · 封装:VFQFPN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 VFQFPN-24 封装。

9ZXL1251AKILFT

IDT · 封装:QFN-64

主要参数包括湿敏性 是,采用 QFN-64 封装。

ZL40240LDG1

Microchip / Microsemi · 封装:QFN-32

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.35 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 LVCMOS,采用 QFN-32 封装。

9DBL0841BKILF

IDT · 封装:QFP-48

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL、类型 Zero Delay,采用 QFP-48 封装。

9DBL0941BKILFT

IDT · 封装:VFQFPN-48

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL,采用 VFQFPN-48 封装。

CDC3RL02BYFPR

Texas Instruments · 封装:DSBGA-8

主要参数包括最大输入频率 52 MHz、类型 Fanout Buffer、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 11 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 DSBGA-8 封装。

SY89833LMG-TR

Microchip Technology / Micrel · 封装:MLF-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输出频率 2 GHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 600 ps、最小工作温度 - 40 C,采用 MLF-16 封装。

SY89832UMG-TR

Microchip Technology / Micrel · 封装:QFN-16

主要参数包括电源电压(最大值) 2.625 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输出频率 2.5 GHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 570 ps、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-16 封装。

MC100LVEP11DTR2G

ON Semiconductor · 封装:TSSOP-8

主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 3000 MHz、输出数 4 Output、传播延迟(最大值) 0.31 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-8 封装。

8SLVP1102ANLGI

IDT · 封装:VFQFPN-16

主要参数包括高度 1 mm、长度 3 mm、宽度 3 mm、湿敏性 是、型号别名 8SLVP1102I IDT8SLVP1102ANLGI,采用 VFQFPN-16 封装。

CDCLVP111RHBR

Texas Instruments · 封装:VQFN-32

主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 3500 MHz、最大输出频率 3500 MHz、输入类型 CML, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 LVPECL,采用 VQFN-32 封装。

83026BMI-01LFT

IDT · 封装:SOIC-8

主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 83026I-01 ICS83026BMI-01LFT、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。

CY2308ZXI-1HT

Cypress Semiconductor · 封装:TSSOP-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 Zero Delay PLL Clock Buffer、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.95 mm,采用 TSSOP-16 封装。

CDCLVD1212RHAR

Texas Instruments · 封装:VQFN-40

主要参数包括最大输入频率 800 MHz、最大输出频率 800 MHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS、输出数 12 Output、最小工作温度 - 40 C,采用 VQFN-40 封装。

NB6N14SMNR2G

ON Semiconductor · 封装:QFN-16 EP

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、最大输入频率 2000 MHz、输出数 8 Output、传播延迟(最大值) 0.6 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-16 EP 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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