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Diodes Incorporated
Clock Buffer Low Skew 1:4 Clock Buffer按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diodes Incorporated
Clock Buffer Low Skew 1:4 Clock BufferIDT
主要参数包括湿敏性 是、商品名称 PCI Express。IDT
主要参数包括湿敏性 是。IDT · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 DFN-8 封装。IDT
Clock Buffer 5PB1214 Mixed SignalIDT · 封装:TSSOP-8
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 TSSOP-8 封装。IDT
Clock Buffer 5PB1203 Mixed SignalIDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 125 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL、类型 Zero Delay,采用 VFQFPN-40 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、最大输入频率 125 MHz、最大输出频率 125 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 TQFN-24 封装。IDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 VFQFPN-40 封装。IDT
Clock Buffer 5PB1214 Mixed SignalIDT
Clock Buffer 5PB1213 Mixed SignalIDT · 封装:TSSOP-14
主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 1.8 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 TSSOP-14 封装。ON Semiconductor · 封装:QFN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 350 MHz、输入类型 HCSL, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL、类型 Fanout Buffer,采用 QFN-24 封装。Microchip / Microsemi
主要参数包括湿敏性 是、商品名称 SmartBuffer。Silicon Labs · 封装:QFN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS,采用 QFN-24 封装。IDT · 封装:VFQFPN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 VFQFPN-24 封装。IDT · 封装:VFQFPN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 VFQFPN-32 封装。Silicon Labs · 封装:QFN-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS,采用 QFN-16 封装。IDT
主要参数包括湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。