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逻辑与时钟

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型号列表

45,197 条型号记录
每页 20 条

5PB1104CMGK

IDT · 封装:DFN-8

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 DFN-8 封装。

5PB1102PGGK

IDT · 封装:TSSOP-8

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 TSSOP-8 封装。

9DBL0651BKILF

IDT · 封装:VFQFPN-40

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 125 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL、类型 Zero Delay,采用 VFQFPN-40 封装。

PI6CB18200ZDIEX

Diodes Incorporated · 封装:TQFN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、最大输入频率 125 MHz、最大输出频率 125 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 TQFN-24 封装。

9DBL0641BKILF

IDT · 封装:VFQFPN-40

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 VFQFPN-40 封装。

5PB1106PGGK

IDT · 封装:TSSOP-14

主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 1.8 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance,采用 TSSOP-14 封装。

NB3L204KMNG

ON Semiconductor · 封装:QFN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大输入频率 350 MHz、输入类型 HCSL, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL、类型 Fanout Buffer,采用 QFN-24 封装。

ZL40253LDG1

Microchip / Microsemi

主要参数包括湿敏性 是、商品名称 SmartBuffer。

SI53362-B-GM

Silicon Labs · 封装:QFN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS,采用 QFN-24 封装。

9DML0441AKILF

IDT · 封装:VFQFPN-24

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 VFQFPN-24 封装。

9DBL0442BKILF

IDT · 封装:VFQFPN-32

主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 VFQFPN-32 封装。

SI53361-B-GM

Silicon Labs · 封装:QFN-16

主要参数包括电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS,采用 QFN-16 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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