SI53204-A01AGM
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 1.89 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 Clock、输出类型 Differential，采用 QFN-32 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录9ZML1233EKILF
IDT · 封装：VFQFPN-72
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、输入类型 Differential、输出类型 HCSL、类型 Low Phase Noise，采用 VFQFPN-72 封装。8SLVS1118NLGI
IDT · 封装：VFQFN-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2 GHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS/LVPECL、类型 Low Skew, Low Additive Jitter，采用 VFQFN-48 封装。9ZXL0832EKILF
IDT · 封装：QFN-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 8 Output，采用 QFN-48 封装。SI53212-A01AGM
Silicon Labs · 封装：QFN-64
主要参数包括电源电压（最大值） 1.89 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 Clock、输出类型 Differential，采用 QFN-64 封装。SI53344-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 1.25 GHz、最大输出频率 1.25 GHz、输入类型 CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS，采用 QFN-32 封装。9DBL0252BKILFT
IDT · 封装：VFQFPN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 175 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL、类型 Zero Delay，采用 VFQFPN-24 封装。PI6C4911504D2LIE
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-20
采用 TSSOP-20 封装。8P34S2102NLGI
IDT · 封装：VFQFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 1.89 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 2 GHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS、类型 High Performance，采用 VFQFN-16 封装。8SLVD2104NBGI
IDT · 封装：VFQFN-28
主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大输入频率 2 GHz、输入类型 LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS、类型 High Performance，采用 VFQFN-28 封装。5P83908NDGK
IDT · 封装：QFN-20
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 Crystal、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 QFN-20 封装。MDB1900ZBQY
Microchip Technology
Clock Buffer 19 Out Buffer W-Sst External FeedbackZL40234LDG1
Microchip / Microsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括最大输入频率 1.6 GHz、输入类型 Crystal, Differential, LVCMOS、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 miClockBuffer、输出数 5 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-32 封装。ZL40231LDG1
Microchip / Microsemi · 封装：QFN-48
主要参数包括最大输入频率 1.6 GHz、输入类型 Crystal, Differential, LVCMOS、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 miClockBuffer、输出数 11 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-48 封装。5PB1106CMGK
IDT · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 1.8 V、最大输入频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVCMOS、类型 High Performance，采用 QFN-16 封装。SI53327-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、最大输入频率 1.25 GHz、最大输出频率 1.25 GHz、输入类型 CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVPECL，采用 QFN-24 封装。ZL40241LDG1
Microchip / Microsemi · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.35 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, SSTL、输出类型 LVCMOS，采用 QFN-32 封装。9SBV0802AKILF
IDT
Clock Buffer Low Power Clock Buffer9ZXL1231AKILF
IDT · 封装：QFN-64
主要参数包括湿敏性 是，采用 QFN-64 封装。SI53341-B-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 LVDS，采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。