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IDT · 封装:QFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 6 Output,采用 QFN-40 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IDT · 封装:QFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 6 Output,采用 QFN-40 封装。IDT · 封装:QFN-64
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL,采用 QFN-64 封装。Analog Devices · 封装:QFN-52
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最大输入频率 7.5 GHz、最大输出频率 7.5 GHz、类型 Fanout Buffer、输出数 11 Output,采用 QFN-52 封装。Analog Devices · 封装:QFN-52
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最大输入频率 7.5 GHz、最大输出频率 7.5 GHz、类型 Fanout Buffer、输出数 11 Output,采用 QFN-52 封装。IDT · 封装:QFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL,采用 QFN-48 封装。IDT · 封装:VFQFPN-72
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、输入类型 Differential、输出类型 HCSL、类型 Low Phase Noise,采用 VFQFPN-72 封装。IDT · 封装:VFQFPN-72
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL,采用 VFQFPN-72 封装。ON Semiconductor · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.71 V、最大输入频率 250 MHz、最大输出频率 250 MHz、输入类型 LVCMOS, LVTTL、输出类型 LVCMOS, LVTTL,采用 TSSOP-16 封装。IDT · 封装:QFN-64
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL,采用 QFN-64 封装。IDT · 封装:QFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL,采用 QFN-48 封装。IDT · 封装:QFN-64
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 12 Output,采用 QFN-64 封装。IDT
主要参数包括输出类型 HCSL、产品 Clock Buffers、湿敏性 是。IDT · 封装:QFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 6 Output,采用 QFN-40 封装。IDT · 封装:GQFN-80
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL、类型 Processor Clock、输出数 19 Output,采用 GQFN-80 封装。IDT · 封装:VFQFPN-72
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 400 MHz、输入类型 Differential、输出类型 HCSL、类型 Low Phase Noise,采用 VFQFPN-72 封装。Texas Instruments · 封装:WQFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、最大输入频率 3.1 GHz、最大输出频率 3.1 GHz、输入类型 LVPECL, LVDS, CML, SSTL, HSTL, HCSL、输出类型 LVPECL, LVDS, HCSL, LVCMOS,采用 WQFN-48 封装。IDT · 封装:VFQFPN-24
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 200 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 VFQFPN-24 封装。Silicon Labs · 封装:QFN-48
主要参数包括电源电压(最大值) 1.89 V、电源电压(最小值) 1.425 V、最大输入频率 200 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 Clock、输出类型 Differential,采用 QFN-48 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-32
主要参数包括电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、最大输入频率 100 MHz、最大输出频率 100 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 HCSL,采用 TQFN-32 封装。IDT · 封装:QFN-40
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 150 MHz、最大输出频率 150 MHz、输入类型 HCSL、输出类型 LP-HCSL,采用 QFN-40 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。