7SB384MUTCG
ON Semiconductor · 封装：UDFN-6
主要参数包括电源电压（最大值） + 7 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 252 mW、单件重量 0.000705 oz，采用 UDFN-6 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录7SB384DFT2G
ON Semiconductor · 封装：SC-88
主要参数包括电源电压（最大值） + 7 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SC-88 封装。7SB3126DFT2G
ON Semiconductor · 封装：SC-88
主要参数包括电源电压（最大值） + 7 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 150 mW，采用 SC-88 封装。7SB3257DFT2G
ON Semiconductor · 封装：SC-88
主要参数包括电源电压（最大值） + 7 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 252 mW、单件重量 0.000218 oz，采用 SC-88 封装。7SB3257MUTCG
ON Semiconductor · 封装：UDFN-6
主要参数包括电源电压（最大值） + 7 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 252 mW，采用 UDFN-6 封装。7SB3257DTT2G
ON Semiconductor
Bus Transmitters 2 BIT MUX/DEMUX BUS SWITCH7WB3126MUTAG
ON Semiconductor · 封装：UDFN-8
主要参数包括电源电压（最大值） + 7 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 1127 mW、单件重量 0.000335 oz，采用 UDFN-8 封装。SN75LVDS83ADGG
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mp/s、最小工作温度 - 10 C、最大工作温度 + 70 C、湿敏性 是，采用 TSSOP-56 封装。SN65LVDS84AQDGG
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 EIA/TIA-644、数据速率 196 MB/s、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 TSSOP-48 封装。SN75LVDS83BDGG
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 135 Mb/s、最小工作温度 - 10 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.15 mm，采用 TSSOP-56 封装。SN75LVDS84ADGG
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 EIA/TIA-644、数据速率 196 MB/s、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-48 封装。SN75LVDS84DGG
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 EIA/TIA-644、数据速率 163 MB/s、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-48 封装。7SB384DTT1G
ON Semiconductor · 封装：TSOP-5
主要参数包括电源电压（最大值） + 7 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 TSOP-5 封装。7SB3257DTT1G
ON Semiconductor · 封装：TSOP-6
主要参数包括电源电压（最大值） + 7 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 200 mW、单件重量 0.000705 oz，采用 TSOP-6 封装。7SB385DTT1G
ON Semiconductor · 封装：TSOP-5
主要参数包括电源电压（最大值） + 7 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 200 mW、单件重量 0.000497 oz，采用 TSOP-5 封装。NLV7SB3257DTT1G
ON Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100。7SB385DFT2G
ON Semiconductor · 封装：SC-88
主要参数包括电源电压（最大值） + 7 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 150 mW、单件重量 0.000219 oz，采用 SC-88 封装。SN75LVDS83DGG
Texas Instruments · 封装：TSSOP-56
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 EIA/TIA-644、数据速率 227.5 MB/s、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-56 封装。SN75LVDS84DGGR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-48
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 EIA/TIA-644、数据速率 163 MB/s、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 TSSOP-48 封装。7SB3125DTT1G
ON Semiconductor · 封装：TSOP-5
主要参数包括电源电压（最大值） + 7 V、电源电压（最小值） - 0.5 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 TSOP-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。