74AUP2G17GS,132
Nexperia · 封装:XSON-6
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 0.8 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率(Pd) 250 mW、传播延迟时间 11.1 ns,采用 XSON-6 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Nexperia · 封装:XSON-6
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 0.8 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率(Pd) 250 mW、传播延迟时间 11.1 ns,采用 XSON-6 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-20
主要参数包括通道数 8、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.65 V、工作电源电压 1.65~3.6 V、高电平输出电流 - 24 mA、低电平输出电流 24 mA,采用 VQFN-20 封装。Texas Instruments · 封装:SO-20
主要参数包括通道数 8、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.65 V、工作电源电压 2~3.6 V、高电平输出电流 - 12 mA、低电平输出电流 12 mA,采用 SO-20 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-48
主要参数包括通道数 16、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、高电平输出电流 - 32 mA、低电平输出电流 64 mA,采用 SSOP-48 封装。Maxim Integrated
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 6 Gb/s、输入线数 2 Input、输出线数 2 Output、极性 Non-Inverting。Texas Instruments · 封装:SOIC-20
主要参数包括通道数 8、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 6 mA、低电平输出电流 6 mA,采用 SOIC-20 封装。Texas Instruments · 封装:SO-14
主要参数包括通道数 4、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 7.8 mA、低电平输出电流 7.8 mA,采用 SO-14 封装。Diodes Incorporated · 封装:DFN0910-6
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 0.8 V、低电平输出电流 4 mA、输出类型 Open Drain、逻辑类型 Buffer、输入线数 2 Input,采用 DFN0910-6 封装。Renesas / Intersil · 封装:QFN-EP-16
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1 mm、长度 4 mm、宽度 4 mm、湿敏性 是,采用 QFN-EP-16 封装。Diodes Incorporated
Buffers & Line Drivers QUAD 3-STATE BUFFERS OE LOW 4mA VCC 4.5VTexas Instruments · 封装:SOIC-24
主要参数包括通道数 10、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.65 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、高电平输出电流 - 24 mA、低电平输出电流 24 mA,采用 SOIC-24 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-56
主要参数包括通道数 20、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.65 V、工作电源电压 1.65~3.6 V、高电平输出电流 - 24 mA、低电平输出电流 24 mA,采用 TSSOP-56 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-48
主要参数包括通道数 16、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 2~5 V、高电平输出电流 - 32 mA、低电平输出电流 64 mA,采用 SSOP-48 封装。Texas Instruments · 封装:SO-14
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、高电平输出电流 - 32 mA、低电平输出电流 64 mA、输出类型 3-State,采用 SO-14 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-16
主要参数包括通道数 5、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 8 mA、低电平输出电流 8 mA,采用 TSSOP-16 封装。Texas Instruments · 封装:PDIP-16
主要参数包括通道数 5、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 7.8 mA、低电平输出电流 7.8 mA,采用 PDIP-16 封装。Toshiba · 封装:SOT-953-5
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.65 V、低电平输出电流 32 mA、输出类型 Open Drain、逻辑类型 CMOS,采用 SOT-953-5 封装。Diodes Incorporated
Buffers & Line Drivers 1.45 to 5.5V VCC 1G Single Buffer 3-SIDT · 封装:QSOP-20
主要参数包括高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74FCT3244 IDT74FCT3244QG、单件重量 0.008508 oz,采用 QSOP-20 封装。Diodes Incorporated
Buffers & Line Drivers QUAD 3-STATE BUFFERS OE HI 4mA VCC 4.5V型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。