SN74HC151PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
主要参数包括最大时钟频率 28 MHz、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2～6 V、高电平输出电流 - 7.8 mA、低电平输出电流 7.8 mA，采用 TSSOP-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录MC14543BDG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 3～18 V、高电平输出电流 - 4.2 mA、低电平输出电流 4.2 mA、技术 CMOS，采用 SOIC-16 封装。74LVC1G157GW-Q100H
Nexperia · 封装：TSSOP-6
主要参数包括认证等级 AEC-Q100，采用 TSSOP-6 封装。SN74HCT139D
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电压 4.5～5.5 V、输出电流 +/- 25 mA，采用 SOP-16 封装。SN74LVC138ARGYR
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.65～3.6 V、高电平输出电流 - 24 mA、低电平输出电流 24 mA，采用 VQFN-16 封装。CD74HCT139E
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电压 4.5～5.5 V、输出电流 +/- 25 mA，采用 PDIP-16 封装。SN74HC253N
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括最大时钟频率 28 MHz、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2～6 V、高电平输出电流 - 7.8 mA、低电平输出电流 7.8 mA，采用 PDIP-16 封装。QS3VH253QG8
IDT · 封装：QSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、产品 Multiplexers / Demultiplexers、逻辑系列 LVTTL，采用 QSOP-16 封装。74LVC1G18GW-Q100H
Nexperia · 封装：TSOP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、产品 Demultiplexers、逻辑系列 74LVC、输入线数 1 Input，采用 TSOP-6 封装。74CBTLV3253PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、产品 Multiplexers / Demultiplexers、逻辑系列 74CBTL、输入线数 4 Input、传播延迟时间 0.25 ns, 6.1 ns, 7.5 ns，采用 TSSOP-16 封装。SN74HCT138PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 4 mA、低电平输出电流 4 mA，采用 TSSOP-16 封装。MC74HC139ADG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2～6 V、高电平输出电流 - 5.2 mA、低电平输出电流 5.2 mA、技术 CMOS，采用 SOIC-16 封装。SN74LV138ADR
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 70 MHz、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2～5.5 V、高电平输出电流 - 12 mA、低电平输出电流 12 mA，采用 SOP-16 封装。SN74HC139PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
主要参数包括最大时钟频率 28 MHz、电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2～6 V、高电平输出电流 - 5.2 mA、低电平输出电流 5.2 mA，采用 TSSOP-16 封装。MC74HC157ADG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2～6 V、高电平输出电流 - 7.8 mA、低电平输出电流 7.8 mA、技术 CMOS，采用 SOIC-16 封装。74HC151PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 7.8 mA、低电平输出电流 7.8 mA、技术 CMOS，采用 TSSOP-16 封装。74HC238BQ,115
Nexperia · 封装：DHVQFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 5.2 mA、低电平输出电流 5.2 mA、技术 CMOS，采用 DHVQFN-16 封装。NC7SZ19P6X
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SC-70-6
主要参数包括电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.65～5.5 V、输出电压 - 0.5 V to + 7 V、输出电流 +/- 50 mA、高电平输出电流 - 32 mA，采用 SC-70-6 封装。74VHC138FT
Toshiba
主要参数包括单件重量 0.001940 oz。74HCT4514D,653
Nexperia · 封装：SO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 6 mA、低电平输出电流 6 mA、技术 CMOS，采用 SO-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。