NB3L8533DTG
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.63 V、逻辑类型 LVPECL、产品 Multiplexers、输入线数 1 Input、输出线数 4 Output，采用 TSSOP-20 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录SY89856UMG
Microchip Technology / Micrel · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.6 V、产品 Multiplexers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.85 mm，采用 QFN-32 封装。SY56572XRMG
Microchip Technology / Micrel · 封装：QFN-32
主要参数包括产品 Multiplexers、湿敏性 是、单件重量 0.006653 oz，采用 QFN-32 封装。QS4A215Q1G
IDT · 封装：QSOP-48
主要参数包括高度 1.6 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS4A215Q1G QS4A215，采用 QSOP-48 封装。SY58029UMG
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、产品 Multiplexers、逻辑系列 SY58030U，采用 MLF-16 封装。MC100EL57DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） - 4.2 V, + 4.2 V、电源电压（最大值） - 5.7 V, + 5.7 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 50 mA、低电平输出电流 50 mA、技术 ECL，采用 SOIC-16 封装。MC100EL58DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、电源电压（最小值） - 4.2 V, + 4.2 V、电源电压（最大值） - 5.7 V, + 5.7 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 50 mA、低电平输出电流 50 mA，采用 SOIC-8 封装。557G-06LF
IDT · 封装：TSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 3.135 V、电源电压（最大值） 3.465 V、产品 Multiplexers、输入线数 2 Input、输出线数 4 Output、最小工作温度 0 C，采用 TSSOP-20 封装。HCS512/SO
Microchip Technology · 封装：SOIC-18
主要参数包括最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、功能 Secure storage of Manufacturer?s Code, Secure storage of transmitter?s keys, Up to four transmitters can be learned、高度 2.05 mm、长度 11.55 mm、宽度 7.5 mm，采用 SOIC-18 封装。HCS512/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-18
主要参数包括最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、功能 Secure storage of Manufacturer?s Code, Secure storage of transmitter?s keys, Up to four transmitters can be learned、高度 3.3 mm、长度 22.8 mm、宽度 6.35 mm，采用 PDIP-18 封装。QS4A201QG
IDT · 封装：QSOP-24
主要参数包括高度 1.47 mm、长度 8.7 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS4A201QG QS4A201、单件重量 0.009016 oz，采用 QSOP-24 封装。SY58609UMG
Microchip Technology / Micrel · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、产品 Multiplexers、逻辑系列 SY58609U，采用 QFN-16 封装。SN74ALS258ANE4
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括最大时钟频率 75 MHz、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 2.6 mA、低电平输出电流 24 mA，采用 PDIP-16 封装。74LVC1G157GW,125
Nexperia · 封装：TSSOP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.65～5.5 V、输出电压 3.4 V、输出电流 +/- 50 mA、高电平输出电流 - 32 mA，采用 TSSOP-6 封装。74HC138PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 5 V、高电平输出电流 - 5.2 mA、低电平输出电流 5.2 mA、技术 CMOS，采用 TSSOP-16 封装。SN74LVC1G19DCKR
Texas Instruments · 封装：SC70-6
主要参数包括电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V、高电平输出电流 - 32 mA、低电平输出电流 32 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C，采用 SC70-6 封装。SN74LVC1G18DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V、高电平输出电流 - 32 mA、低电平输出电流 32 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C，采用 SOT-23-6 封装。74LVC1G19GW,125
Nexperia · 封装：TSSOP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V、输出电压 6.5 V、输出电流 50 mA、高电平输出电流 - 32 mA，采用 TSSOP-6 封装。SN74LVC1G19DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V、高电平输出电流 - 32 mA、低电平输出电流 32 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C，采用 SOT-23-6 封装。MC74HC138ADG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2～6 V、高电平输出电流 - 5.2 mA、低电平输出电流 5.2 mA、技术 CMOS，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。