PI3CH281QE-2017
Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Renesas Electronics · 封装:SOIC-20
该型号为集成电路,主要参数包括位数 8 位、导通电阻(最大值) 15 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国台湾,采用 SOIC-20 封装。Renesas Electronics · 封装:QSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 15 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 QSOP-20 封装。Renesas Electronics · 封装:SOIC-20
该型号为集成电路,主要参数包括位数 8 位、导通电阻(最大值) 15 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国台湾,采用 SOIC-20 封装。Renesas Electronics · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 15 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 QSOP-24 封装。Renesas Electronics · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 15 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 QSOP-24 封装。Renesas Electronics · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 15 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 QSOP-24 封装。Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 9 Ω、传播延迟(最大值) 200 ps,采用 TSSOP-20 封装。Texas Instruments
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。Texas Instruments
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。Texas Instruments
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。Texas Instruments
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。Texas Instruments · 封装:WQFN-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、导通电阻(最大值) 40 Ω、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 WQFN-14 封装。Texas Instruments
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。Texas Instruments · 封装:VSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 8.5 Ω、传播延迟(最大值) 0.25 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 VSSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。