QS3VH245PAG8
Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 9 Ω、传播延迟(最大值) 200 ps,采用 TSSOP-20 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 9 Ω、传播延迟(最大值) 200 ps,采用 TSSOP-20 封装。Renesas Electronics · 封装:TSSOP-56
该型号为集成电路,主要参数包括位数 24 位、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDTQS3VH16211PAG8 QS3VH16211、单件重量 0.026103 oz,采用 TSSOP-56 封装。Renesas Electronics · 封装:TSSOP-48
该型号为集成电路,主要参数包括位数 20 位、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDTQS3VH16861PAG8 QS3VH16861、单件重量 0.014850 oz,采用 TSSOP-48 封装。Renesas Electronics · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 15 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 QSOP-24 封装。Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括位数 8 位、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDTQS3VH244PAG8 QS3VH244、单件重量 0.006737 oz,采用 TSSOP-20 封装。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated · 封装:QSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 10 Ω、传播延迟(最大值) 250 us、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QSOP-20 封装。Diodes Incorporated · 封装:QSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 10 Ω、传播延迟(最大值) 250 us、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QSOP-20 封装。Diodes Incorporated · 封装:W-QFN3545-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 10 Ω、传播延迟(最大值) 250 us、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 W-QFN3545-20 封装。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Nexperia · 封装:DHVQFN-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 60 Ω、传播延迟(最大值) 0.31 ns,采用 DHVQFN-20 封装。Nexperia · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 8 Ω、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-24 封装。Nexperia · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 50 Ω、传播延迟(最大值) 0.25 ns,采用 TSSOP-24 封装。NXP Semiconductors
该型号为集成电路,主要参数包括晶圆制造国家或地区 SG、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 935438814528。Renesas Electronics · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括位数 10 位、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT74CBTLV3384PGG8 74CBTLV3384、单件重量 0.007478 oz,采用 TSSOP-24 封装。Renesas Electronics · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括位数 10 位、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT74CBTLV3384QG8 74CBTLV3384、单件重量 0.009016 oz,采用 QSOP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。