74CBTLV3244PGG
Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 8 位、传播延迟(最大值) 250 ps、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-20 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 8 位、传播延迟(最大值) 250 ps、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-20 封装。Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 8 位、导通电阻(最大值) 40 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 TSSOP-20 封装。Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 8 位、传播延迟(最大值) 250 ps、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-20 封装。Renesas Electronics · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括位数 8 位、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT74CBTLV3245PGG8 74CBTLV3245、单件重量 0.006737 oz,采用 TSSOP-20 封装。Renesas Electronics · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 40 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 TSSOP-24 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-8
该型号为集成电路,主要参数包括位数 2 位、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、型号别名 CCB3Q3306AMPWEP、单件重量 0.005573 oz,采用 TSSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-8
该型号为集成电路,主要参数包括位数 2 位、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、型号别名 CCB3Q3306AMPWREP、单件重量 0.005573 oz,采用 TSSOP-8 封装。Toshiba
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 日本。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。Diodes Incorporated
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国。Renesas Electronics · 封装:QSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、位数 10 位、导通电阻(最大值) 15 Ω、传播延迟(最大值) 250 ps,采用 QSOP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。