74CBTLV3125QG
IDT · 封装：QSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括位数 4 位、高度 1.47 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74CBTLV3125 IDT74CBTLV3125QG、单件重量 0.010159 oz，采用 QSOP-16 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录72V73263BBG
IDT · 封装：PBGA-208
该型号为集成电路，主要参数包括高度 1.76 mm、长度 17 mm、宽度 17 mm、湿敏性 是、商品名称 ST-BUS、型号别名 IDT72V73263，采用 PBGA-208 封装。PI3B3125WE
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 SOIC-14 封装。74CBTLV3861PGG8
IDT · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1 mm、长度 7.8 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 74CBTLV3861 IDT74CBTLV3861PGG8、单件重量 0.007478 oz，采用 TSSOP-24 封装。PI3B3125WEX
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 SOIC-14 封装。SN74CBTLV3125PWG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-14 封装。PI3VT3306LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP Wide
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、位数 2 位、导通电阻（最大值） 25 Ω、传播延迟（最大值） 250 us、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP Wide 封装。QS3VH16245PAG
IDT · 封装：TSSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 16 位、导通电阻（最大值） 8 Ω、传播延迟（最大值） 200 ps，采用 TSSOP-48 封装。74CB3Q3306ADCURG4
Texas Instruments · 封装：VSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 VSSOP-8 封装。SN74TVC16222ADLG4
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 22 位、导通电阻（最大值） 12.5 Ω、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.021175 oz，采用 SSOP-48 封装。SN74CBT1G384DCKT
Texas Instruments · 封装：SC70-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SC70-5 封装。SN74CBT16212ADLRG4
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 14 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-56 封装。74CBTD3861DBQRG4
Texas Instruments · 封装：QSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 QSOP-24 封装。SN74CBT3244PWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-20 封装。MT89L86AP1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路。MT8985APR1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路。74FST6800PGG
IDT · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1 mm、长度 7.8 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 74FST6800 IDT74FST6800PGG、单件重量 0.007478 oz，采用 TSSOP-24 封装。PI3B3861LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 us，采用 TSSOP-24 封装。PI3B3384LEX
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 35 Ω，采用 TSSOP-24 封装。PI3B3244QEX
Diodes Incorporated · 封装：QSOP-20
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻（最大值） 10 Ω，采用 QSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。