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型号列表

45,197 条型号记录
每页 20 条

SN74CBTD3306DRG4

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SOIC-8 封装。

SN74CBT3126PWRG4

Texas Instruments · 封装:TSSOP-14

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TSSOP-14 封装。

TS5N214PWG4

Texas Instruments · 封装:TSSOP-16

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 2 位、导通电阻(最大值) 3 Ω、传播延迟(最大值) 3 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-16 封装。

SN74CBT3245APWE4

Texas Instruments · 封装:TSSOP-20

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 15 Ω,采用 TSSOP-20 封装。

SN74CBTLV16210DL

Texas Instruments · 封装:SSOP-48

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SSOP-48 封装。

SN74CB3Q16211DL

Texas Instruments · 封装:SSOP-56

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻(最大值) 9 Ω,采用 SSOP-56 封装。

SN74CB3Q3384APWG4

Texas Instruments · 封装:TSSOP-24

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 9 Ω,采用 TSSOP-24 封装。

SN74CBT3245ADWG4

Texas Instruments · 封装:SOIC-20

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SOIC-20 封装。

74CBT1G125DCKRG4

Texas Instruments · 封装:SC70-5

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻(最大值) 20 Ω,采用 SC70-5 封装。

74CBTD16210DGVRE4

Texas Instruments · 封装:TVSOP-48

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TVSOP-48 封装。

74CB3T16211DGGRE4

Texas Instruments · 封装:TSSOP-56

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻(最大值) 9.5 Ω,采用 TSSOP-56 封装。

74CBT16211ADGGRE4

Texas Instruments · 封装:TSSOP-56

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TSSOP-56 封装。

SN74TVC3010DGVRG4

Texas Instruments · 封装:TVSOP-24

该型号为集成电路,主要参数包括位数 10 位、导通电阻(最大值) 12.5 Ω、传播延迟(最大值) 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.002148 oz,采用 TVSOP-24 封装。

QS32X2384Q1G8

IDT · 封装:QSOP-48

该型号为集成电路,主要参数包括位数 20 位、高度 1.6 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS32X2384Q1G8 QS32X2384,采用 QSOP-48 封装。

QS3L384PAG8

IDT · 封装:TSSOP-24

该型号为集成电路,主要参数包括位数 10 位、高度 1 mm、长度 7.8 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 IDTQS3L384PAG8 QS3L384、单件重量 0.007478 oz,采用 TSSOP-24 封装。

72V70800TFG

IDT · 封装:TQFP-64

该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3~3.6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、配置 1 x 4:4、高度 1.4 mm、长度 10 mm,采用 TQFP-64 封装。

QS3VH245SOG8

IDT · 封装:SOIC-20

该型号为集成电路,主要参数包括位数 8 位、高度 2.34 mm、长度 12.8 mm、宽度 7.6 mm、型号别名 IDTQS3VH245SOG8 QS3VH245、单件重量 0.028254 oz,采用 SOIC-20 封装。

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