SN74CBTD3306DRG4
Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:SOIC-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-14
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TSSOP-14 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 2 位、导通电阻(最大值) 3 Ω、传播延迟(最大值) 3 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-16 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 15 Ω,采用 TSSOP-20 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SSOP-48 封装。Texas Instruments · 封装:SSOP-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻(最大值) 9 Ω,采用 SSOP-56 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 9 Ω,采用 TSSOP-24 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 8 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 SOIC-20 封装。Texas Instruments · 封装:SC70-5
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻(最大值) 20 Ω,采用 SC70-5 封装。Texas Instruments · 封装:TVSOP-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TVSOP-48 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻(最大值) 9.5 Ω,采用 TSSOP-56 封装。Texas Instruments · 封装:TSSOP-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻(最大值) 7 Ω,采用 TSSOP-56 封装。Microchip / Microsemi
该型号为集成电路。Texas Instruments · 封装:TVSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括位数 10 位、导通电阻(最大值) 12.5 Ω、传播延迟(最大值) 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.002148 oz,采用 TVSOP-24 封装。IDT · 封装:QSOP-48
该型号为集成电路,主要参数包括位数 20 位、高度 1.6 mm、长度 9.9 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 IDTQS32X2384Q1G8 QS32X2384,采用 QSOP-48 封装。IDT · 封装:TSSOP-24
该型号为集成电路,主要参数包括位数 10 位、高度 1 mm、长度 7.8 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 IDTQS3L384PAG8 QS3L384、单件重量 0.007478 oz,采用 TSSOP-24 封装。IDT · 封装:TQFP-64
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3~3.6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、配置 1 x 4:4、高度 1.4 mm、长度 10 mm,采用 TQFP-64 封装。Microchip / Microsemi
该型号为集成电路。IDT · 封装:SOIC-20
该型号为集成电路,主要参数包括位数 8 位、高度 2.34 mm、长度 12.8 mm、宽度 7.6 mm、型号别名 IDTQS3VH245SOG8 QS3VH245、单件重量 0.028254 oz,采用 SOIC-20 封装。Microchip / Microsemi
该型号为集成电路。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。