SN74CBTLV3857DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 SOIC-24 封装。逻辑与时钟
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型号列表
45,197 条型号记录CBT3861PW,118
Nexperia · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、导通电阻（最大值） 15 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.007478 oz，采用 TSSOP-24 封装。SN74CB3T3384PWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 TSSOP-24 封装。74CBTLV16212DLRG4
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、位数 24 位、导通电阻（最大值） 27 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-56 封装。74CB3T1G125DBVRG4
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 8 Ω，采用 SOT-23-5 封装。74CBTLV3125QG8
IDT · 封装：QSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括位数 4 位、高度 1.47 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.8 mm、型号别名 74CBTLV3125 IDT74CBTLV3125QG8、单件重量 0.010159 oz，采用 QSOP-16 封装。SN74CB3Q3305PWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 9 Ω，采用 TSSOP-8 封装。SN74CBTD3384CDWRE4
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 10 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SOIC-24 封装。SN74CBT3126DRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-14 封装。74CBTLV3125DBQRG4
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-16 封装。SN74TVC16222ADL
Texas Instruments · 封装：SSOP-48
该型号为集成电路，主要参数包括位数 22 位、导通电阻（最大值） 12.5 Ω、传播延迟（最大值） 4 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.021175 oz，采用 SSOP-48 封装。SN74CBTD16211DLG4
Texas Instruments · 封装：SSOP-56
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 24 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-56 封装。SN74CBT3125DG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SOIC-14 封装。SN74CBT3125PWG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-14
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 TSSOP-14 封装。SN74CBTD3306CPWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 TSSOP-8 封装。SN74CBT3305CPWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 2 位、导通电阻（最大值） 12 Ω，采用 TSSOP-8 封装。74CBT1G125DBVRE4
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 True、位数 1 位、导通电阻（最大值） 20 Ω，采用 SOT-23-5 封装。SN74CBT3383PWRG4
Texas Instruments · 封装：TSSOP-24
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、位数 10 位、导通电阻（最大值） 10 Ω、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-24 封装。CBTD3306GM,125
Nexperia · 封装：XQFN-8
该型号为集成电路，主要参数包括位数 2 位，采用 XQFN-8 封装。SN74CBT3126DBQRG4
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4 V、逻辑类型 CMOS、位数 4 位、导通电阻（最大值） 7 Ω，采用 SSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。